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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPT60R045CFD7XTMA1
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726-IPT60R045CFD7XTM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
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726-IPW60R018CFD7XKS
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
101 A
18 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
251 nC
- 55 C
+ 150 C
416 W
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