Resultados: 31
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET 383.304En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2.8 A, 3.4 A 100 mOhms, 140 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.3 V 9 nC, 7 nC - 55 C + 150 C 1.27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 19.210En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.5 A 134 mOhms - 12 V, 12 V 1 V - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V 151.714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.08 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V 93.592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 14 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 17.1 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A 15.296En existencias
192.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 9.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 230 mA 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 400 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA 30.032En existencias
123.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 6 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 80.156En existencias
81.000Se espera el 13-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 20 V 630 mA 400 mOhms - 6 V, 6 V 500 mV 736.6 pC - 55 C + 150 C 280 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A 10.772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOT-223-3 P-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 13.7 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 5.238En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 640
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 14 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A 4.485En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 10.1 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 1.5 V 47.5 nC - 55 C + 150 C 1.82 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family 6.307En existencias
6.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-523-3 N-Channel 1 Channel 60 V 115 mA 13.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 17En existencias
21.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 880
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 50 V 200 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 500 mV - 50 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family 1.976En existencias
18.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.830
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 50 V 130 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 280 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 2.786En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 12 V 3.9 A, 5.1 A 17 mOhms, 37 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV, 1 V 23.1 nC, 20.8 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 564En existencias
7.500Se espera el 12-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV, 1.8 V 37.56 nC, 33.66 nC - 55 C + 150 C 2.14 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 23.682En existencias
21.000Se espera el 25-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 20 V 820 mA 1.5 Ohms - 6 V, 6 V 1 V 622.4 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2.571En existencias
108.000Se espera el 21-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 10.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Ch Enhancement Mode 4.354En existencias
3.000Se espera el 21-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.8 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 1.36 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 12Vgss 30A 882En existencias
24.000Se espera el 21-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.5 A 21 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 8.5 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101 339En existencias
45.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.120
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW 158En existencias
39.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.110
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 470 mA 1.8 Ohms - 5 V, 5 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 610 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson 9.399En existencias
15.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 2.670En existencias
138.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 3 Ohms - 20 V, 20 V 1.2 V 870 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 1.739En existencias
2.500Se espera el 15-01-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr 1.741En existencias
42.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4.000
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 500 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel