Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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TSOP-6

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Enhancement

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SI3417DV-T1-GE3
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Vishay
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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SI3424CDV-T1-BE3
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1 Channel

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SI3460DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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1 Channel

20 V

7.9 A

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1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

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SI3476DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI3476DV-T1-BE3

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TSOP-6

N-Channel

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4.6 A

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- 20 V, 20 V

1.2 V

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- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3410DV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3410DV-T1-GE3

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781-SI3410DV-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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1 Channel

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V

SI3493BDV-T1-E3
Vishay Semiconductors
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SI3493BDV-T1-E3

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Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

27.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

43.5 nC

- 55 C

+ 150 C

2.97 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3483CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3483CDV-T1-GE3

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781-SI3483CDV-GE3

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P-Channel

1 Channel

30 V

8 A

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1 V

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SI3459BDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3459BDV-T1-GE3

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SI3473CDV-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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SI3473CDV-T1-GE3

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781-SI3473CDV-GE3

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$487

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

12 V

8 A

22 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

65 nC

- 55 C

+ 150 C

4.2 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6 P-CH 20V 7.5A

SI3407DV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
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SI3407DV-T1-BE3

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P-Channel

1 Channel

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8 A

32.7 mOhms

- 12 V, 12 V

1.5 V

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+ 150 C

4.2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3476DV-T1-GE3
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SI3476DV-T1-GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs TSOP-6

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4.6 A

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SI3443CDV-T1-E3
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$391

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TSOP-6

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+ 150 C

3.2 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs TSOP-6

SI3456DDV-T1-GE3
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SI3456DDV-T1-GE3

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6.3 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

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30 V

6.3 A

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- 20 V, 20 V

3 V

2.8 nC

- 55 C

+ 150 C

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SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

20 V

8 A

24 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

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: 3.000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

27.5 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

26.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2.97 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

17.5 mOhms
19.2 mOhms
19.5 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
26 mOhms
27.5 mOhms
28 mOhms
32.7 mOhms
34 mOhms
35.5 mOhms
36 mOhms
38 mOhms
40 mOhms
58 mOhms
58 mOhms, 195 mOhms
74 mOhms
90 mOhms
93 mOhms
100 mOhms

2.6 nC
2.8 nC
2.9 nC
3.2 nC, 6 nC
3.8 nC
4.2 nC
4.9 nC
5 nC
6 nC
6.8 nC
7.53 nC
7.7 nC
8 nC
8.2 nC
9 nC
10.4 nC
11.5 nC
12.2 nC
15 nC
18 nC