Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R360P7SATMA1
Infineon Technologies
1: $1.893
14.898Se espera el 19-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R360P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R360P7SATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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14.898Se espera el 19-11-2026

Cinta cortada

$1.893

$1.199

$796

$623

$568

Envase tipo carrete

$496

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

16.4 nC

- 40 C

+ 150 C

7.2 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.872
16.975En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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16.975En pedido

Cinta cortada

$1.872

$1.188

$786

$614

$559

Envase tipo carrete

$490

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

7 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R750P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $2.556
2.999En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R750P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R750P7AKMA1

Infineon Technologies

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2.999En pedido

$2.556

$1.514

$1.136

$954

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

73 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $10.927
220Se espera el 15-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

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220Se espera el 15-07-2026

$10.927

$7.046

$5.837

$5.153

$4.627

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

61 A

45 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.366
1.500Se espera el 03-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R360P7SXKSA

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1.500Se espera el 03-12-2026

$2.366

$1.273

$1.010

$798

$673

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

300 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 40 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.009
1.499En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7SXKSA

Infineon Technologies

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1.499En pedido

$2.009

$979

$817

$686

$575

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

490 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

9 nC

- 40 C

+ 150 C

21 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.503
500Se espera el 15-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R900P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R900P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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500Se espera el 15-07-2026

$2.503

$1.357

$1.083

$853

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

770 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.914
3.200Se espera el 10-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7SAUMA

Infineon Technologies

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3.200Se espera el 10-07-2026

Cinta cortada

$1.914

$1.199

$788

$625

$555

Envase tipo carrete

$506

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 40 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.776
1.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

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1.000En pedido

$3.776

$2.103

$1.704

$1.388

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.461
500Se espera el 25-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

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500Se espera el 25-02-2027

$2.461

$1.315

$1.062

$836

$707

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.4 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

10 nC

- 50 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.309
240Se espera el 16-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

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240Se espera el 16-07-2026

$7.309

$4.648

$3.534

$3.124

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

117 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.280
500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

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500En pedido

$4.280

$2.598

$2.040

$1.693

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

36 nC

- 50 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.767
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R2K0P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$1.767

$806

$705

$568

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

3 A

1.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

24 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.564
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R360P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$4.564

$2.745

$2.114

$1.756

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.924
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA95R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R750P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

$2.924

$1.819

$1.294

$1.024

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

9 A

750 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.860
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPAN80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

$3.860

$2.156

$1.735

$1.378

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1.500: $819
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R600P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

$819

$780

$740

Presupuesto

Min.: 1.500
Mult.: 1.500

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.582
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

$8.582

$4.869

$4.386

$3.965

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

37 A

69 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

129 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.577
Plazo de entrega 20 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R600P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

Cinta cortada

$2.577

$1.641

$1.115

$892

Envase tipo carrete

$735

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

8 A

510 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

7.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W