Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
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CoolMOS

Tube

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IPD80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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IPA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
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CoolMOS

Tube

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IPL60R065P7AUMA1
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IPAN70R600P7SXKSA1
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IPD80R2K4P7ATMA1
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IPD80R750P7ATMA1
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IPL60R365P7AUMA1
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IPN95R2K0P7ATMA1
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Infineon Technologies
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IPA80R450P7XKSA1

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IPA80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA80R900P7XKSA1

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726-IPA80R900P7XKSA1

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CoolMOS

Tube

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IPU80R900P7AKMA1
Infineon Technologies
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1.441En existencias

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IPU80R900P7AKMA1

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726-IPU80R900P7AKMA1

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45 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.777
2.485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

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$1.777

$869

$718

$586

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$499

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DPAK-3 (TO-252-3)

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6 A

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3 V

9 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: $2.114
1.669En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

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1.669En existencias

$2.114

$1.014

$907

$744

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TO-220-3

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12.5 A

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26.5 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.981
220En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R045P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R045P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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220En existencias

$9.981

$5.574

$5.143

$5.017

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1 Channel

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61 A

45 mOhms

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3.5 V

90 nC

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+ 150 C

201 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: $1.588
2.153En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos

2.153En existencias

$1.588

$703

$629

$628

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TO-251-3

N-Channel

1 Channel

950 V

2 A

3.7 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

6 nC

- 55 C

+ 150 C

22 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.767
2.815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R1K2P7ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2.815En existencias

Cinta cortada

$1.767

$982

$697

$579

Envase tipo carrete

$468

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

11 nC

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6.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

IPN80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.146
5.050En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
IPN80R3K3P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN80R3K3P7ATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerTransistor

Hoja de datos

5.050En existencias

Cinta cortada

$1.146

$643

$451

$364

Envase tipo carrete

$292

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

N-Channel

1 Channel

800 V

1.9 A

2.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3.5 V

5.8 nC

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+ 150 C

6.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $11.285
9.056En existencias
3.840Se espera el 20-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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9.056En existencias

3.840Se espera el 20-08-2026

$11.285

$6.678

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$5.553

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76 A

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255 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.365
23.007En existencias
23.760Se espera el 25-02-2027

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

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23.007En existencias

23.760Se espera el 25-02-2027

$4.365

$2.156

$1.967

$1.630

$1.578

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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25 nC

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72 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.513
7.585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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7.585En existencias

Cinta cortada

$3.513

$1.756

$1.588

$1.283

Envase tipo carrete

$1.178

$1.167

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.924
5.488En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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5.488En existencias

Cinta cortada

$2.924

$1.441

$1.294

$1.040

Envase tipo carrete

$957

$918

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

214 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.544
4.902En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R360P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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4.902En existencias

Cinta cortada

$3.544

$2.303

$1.599

$1.294

$1.262

Envase tipo carrete

$1.178

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

13 A

310 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

84 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.446
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IPA60R060P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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N-Channel

1 Channel

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48 A

49 mOhms

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3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

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N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W