Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Infineon Technologies
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946En existencias
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IPD60R360P7SAUMA1

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726-IPD60R360P7SAUMA

Infineon Technologies

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Cinta cortada

$1.769

$1.114

$738

$578

$526

Envase tipo carrete

$469

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Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R1K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.830
466En existencias
2.500Se espera el 22-10-2026

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IPD80R1K4P7ATMA1

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Cinta cortada

$1.830

$1.176

$816

$641

Envase tipo carrete

$508

Ver

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 800V CoolMOS P7PowerDevice

IPD80R3K3P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.350
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IPD80R3K3P7ATMA1

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Infineon Technologies

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$1.350

$687

$492

$464

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$408

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Enhancement

CoolMOS

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IPD80R4K5P7ATMA1
Infineon Technologies
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$1.452

$911

$598

$463

$350

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$328

MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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IPD95R750P7ATMA1
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IPL60R085P7AUMA1
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IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies
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Ver

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$656

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IPN70R1K4P7SATMA1
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IPN70R2K0P7SATMA1
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$1.074

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$233

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Enhancement

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IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
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$975

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$404

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Enhancement

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IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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4.825En existencias

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IPN70R600P7SATMA1

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726-IPN70R600P7SATMA

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$1.431

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$586

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$363

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6.9 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.544
111En existencias
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IPN80R2K4P7ATMA1

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726-IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

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$1.544

$970

$639

$434

$393

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$393

Min.: 1
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SOT-223-3

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1 Channel

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2.5 A

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7.5 nC

- 55 C

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.585
2.558En existencias
39.000Se espera el 20-08-2026

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IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

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$1.585

$982

$647

$507

Envase tipo carrete

$396

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SMD/SMT

SOT-223-3

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6 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $7.986
77En existencias
7.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

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77En existencias

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$7.986

$4.233

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.613
81En existencias
2.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

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81En existencias

2.000En pedido

$5.613

$3.170

$2.699

$2.239

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Mult.: 1

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TO-220-3

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3 V

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+ 150 C

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Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.724
524En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R120P7XKSA1

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524En existencias

$4.724

$2.710

$2.249

$1.963

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TO-220-3

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1 Channel

600 V

26 A

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95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.996
136En existencias
500Se espera el 26-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R280P7XKSA1

Infineon Technologies

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136En existencias

500Se espera el 26-11-2026

$2.996

$1.636

$1.329

$1.074

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

12 A

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- 20 V, 20 V

3 V

18 nC

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+ 150 C

53 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.429
287En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120P7XKSA1

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287En existencias

$5.429

$3.558

$2.658

$2.311

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

26 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

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+ 150 C

95 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $8.681
99En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

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99En existencias

$8.681

$5.828

$5.061

$4.366

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

49 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

164 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.969
113En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

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113En existencias

$4.969

$3.006

$2.352

$1.932

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TO-247-3

N-Channel

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17 A

280 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

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CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: $1.748
251.730En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

$1.748

$931

$609

$558

Envase tipo carrete

$418

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

700 V

12.5 A

300 mOhms

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CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.613
862Se espera el 15-07-2026

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IPA60R099P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

31 A

77 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

45 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R360P7ATMA1
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MouseReel Disponible

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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

9 A

305 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

41 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD95R450P7ATMA1
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Envase tipo carrete

$1.176

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.5 A
1.9 A
2 A
2.5 A
3 A
4 A
4.5 A
6 A
7 A
8 A
8.5 A
9 A
10 A
11 A
12 A
12.5 A
13 A
14 A
17 A
18 A

24 mOhms
30 mOhms
45 mOhms
49 mOhms
53 mOhms
69 mOhms
73 mOhms
77 mOhms
85 mOhms
100 mOhms
104 mOhms
145 mOhms
149 mOhms
160 mOhms
180 mOhms
214 mOhms
218 mOhms
280 mOhms
300 mOhms
305 mOhms

3.8 nC
4 nC
4.7 nC
5.8 nC
6 nC
6.8 nC
7.5 nC
9 nC
10 nC
10.5 nC
11 nC
13 nC
13.1 nC
15 nC
16.4 nC
17 nC
18 nC
20 nC
23 nC
24 nC

500 mW
6 W
6.1 W
6.2 W
6.8 W
6.9 W
7 W
7.1 W
7.2 W
7.4 W
13 W
18 W
21 W
22 W
22.7 W
24 W
24.9 W
26 W
26.5 W
27 W