Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
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Si
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Si
SMD/SMT
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Si
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Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
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Si
Through Hole
TO-262-3
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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Si
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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Si
SMD/SMT
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N04S6N009
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
975 En existencias
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IAUC60N04S6N044ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.445
849 En existencias
5.000 Se espera el 09-07-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC60N04S6N044A
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
849 En existencias
5.000 Se espera el 09-07-2026
1
$1.445
10
$909
100
$601
500
$478
1.000
$393
5.000
$340
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
60 A
4.36 mOhms
- 20 V, 20 V
2.6 V
13 nC
- 55 C
+ 175 C
42 W
Enhancement
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPC50N04S5L5R5ATMA1
Infineon Technologies
1:
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453 En existencias
15.000 Se espera el 30-04-2026
N.º de artículo de Mouser
726-IPC50N04S5L5R5AT
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
453 En existencias
15.000 Se espera el 30-04-2026
1
$1.478
10
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$617
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5.000
$330
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
5.5 mOhms
- 16 V, 16 V
1.6 V
23 nC
- 55 C
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42 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
1:
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726-IPG20N04S4L-07
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1.760 En existencias
1
$2.386
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Ver
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5.000
$642
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Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
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- 16 V, 16 V
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
IPB120N04S4L02ATMA1
Infineon Technologies
1:
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319 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4L02AT
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V
319 En existencias
1
$3.629
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Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
120 A
2.3 mOhms
- 16 V, 20 V
1.7 V
190 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPC100N04S51R7ATMA1
Infineon Technologies
1:
$2.285
225 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R7AT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
225 En existencias
1
$2.285
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
83 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel