Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD50N06S2L13ATMA2
Infineon Technologies
1:
$1.624
29.785 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
29.785 En existencias
1
$1.624
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1.000
$813
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$684
25.000
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Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
50 A
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- 20 V, 20 V
1.6 V
69 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1:
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726-IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
9.397 En existencias
1
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25.000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
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- 20 V, 20 V
3 V
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
IPB180N04S400ATMA1
Infineon Technologies
1:
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3.348 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S400ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
3.348 En existencias
Embalaje alternativo
1
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$1.870
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Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
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- 20 V, 20 V
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Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
16.369 En existencias
Embalaje alternativo
1
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$306
25.000
Ver
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$399
25.000
$296
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Min.: 1
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S403ATMA1
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
19.039 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Ver
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$635
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$519
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
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Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S4L08ATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4L08ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
9.287 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Ver
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$396
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$306
10.000
$295
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Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
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50 A
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Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
976 En existencias
Embalaje alternativo
1
$4.558
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$1.602
2.000
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$1.590
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$1.534
10.000
Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
40 V
180 A
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- 20 V, 20 V
2 V
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250 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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4.223 En existencias
1
$1.691
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1.000
Ver
2.500
$678
1.000
$775
2.500
$678
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
30 A
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- 20 V, 20 V
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- 55 C
+ 175 C
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Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
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IPD70N03S4L-04
Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
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9.440 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.725
10
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100
$718
500
$567
2.500
$467
5.000
Ver
1.000
$511
5.000
$422
10.000
$409
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
70 A
3.6 mOhms
- 16 V, 16 V
1 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
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4.444 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.803
10
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100
$750
500
$592
2.500
$488
5.000
Ver
1.000
$534
5.000
$441
10.000
$427
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.2 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
71 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPZ40N04S55R4ATMA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-IPZ40N04S55R4ATM
Infineon Technologies
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12.739 En existencias
1
$1.422
10
$896
100
$591
500
$460
5.000
$334
10.000
Ver
1.000
$385
2.500
$384
10.000
$326
25.000
$314
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
40 A
5.4 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
48 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
IPC100N04S51R2ATMA1
Infineon Technologies
1:
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NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S51R2AT
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
19.898 En existencias
1
$1.859
10
$1.355
100
$1.070
500
$958
1.000
Ver
5.000
$831
1.000
$945
2.500
$930
5.000
$831
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
131 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
1:
$2.318
5.664 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD100N04S4-02
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A DPAK-2 OptiMOS-T2
5.664 En existencias
1
$2.318
10
$1.456
100
$1.165
500
$969
2.500
$783
10.000
Ver
1.000
$905
10.000
$780
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.7 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
91 nC
- 55 C
+ 175 C
150 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
1:
$1.221
8.752 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L-14
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2
8.752 En existencias
1
$1.221
10
$766
100
$502
500
$389
2.500
$276
5.000
Ver
1.000
$352
5.000
$264
10.000
$254
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
30 V
30 A
13.6 mOhms
- 16 V, 16 V
1.5 V
14 nC
- 55 C
+ 175 C
31 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
1:
$3.158
1.892 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1.892 En existencias
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
2.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
90 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD50N04S408ATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.254
6.214 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S408ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
6.214 En existencias
Embalaje alternativo
1
$1.254
10
$726
100
$529
500
$438
2.500
$342
5.000
Ver
1.000
$398
5.000
$302
10.000
$295
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
50 A
7.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
22.4 nC
- 55 C
+ 175 C
46 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
1:
$2.150
5.491 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4-03
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2
5.491 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.150
10
$1.355
100
$911
500
$746
2.500
$600
5.000
Ver
1.000
$653
5.000
$544
10.000
$539
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
66 nC
- 55 C
+ 175 C
94 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
IPG20N04S412AATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.859
16.413 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S412AATM
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
16.413 En existencias
1
$1.859
10
$1.176
100
$787
500
$619
1.000
Ver
5.000
$452
1.000
$556
2.500
$524
5.000
$452
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
12.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
41 W
Enhancement
AEC-Q100
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
1:
$2.285
7.282 En existencias
N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N04S4L-08
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
7.282 En existencias
Embalaje alternativo
1
$2.285
10
$1.445
100
$964
500
$791
1.000
Ver
5.000
$570
1.000
$692
2.500
$672
5.000
$570
25.000
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
2 Channel
40 V
20 A
7.2 mOhms, 7.2 mOhms
- 16 V, 16 V
1.2 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
54 W
Enhancement
AEC-Q100
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1:
$3.349
1.800 En existencias
NRND
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04
NRND
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T
1.800 En existencias
1
$3.349
10
$3.293
2.500
$1.011
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
40 V
90 A
3.8 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
60 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q100
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T
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TDSON-8
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20 A
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- 16 V, 16 V
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