Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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NVMFD5C Power MOSFETs

onsemi NVMFD5C Power MOSFETs are AEC-Q101 Qualified, PPAP capable, and suitable for automotive applications. NVMFD5C MOSFETs feature low ON Resistance to minimize conduction losses, and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These Power MOSFETs are 100% avalanche-tested and are available with a Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection.

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Resultados: 26

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLWFT1G
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLWFT1G
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$6.510

$3.565

$3.260

$3.071

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NVMFD5C668NLT1G
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NVMFD5C674NLT1G
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NVMFD5C680NLET1G
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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C446NLT1G
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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

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NVMFD5C674NLWFT1G
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$3.229

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$1.052

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

60 V

42 A

11.7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10 nC

- 55 C

+ 175 C

37 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLWFT1G
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1: $2.797
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NVMFD5C680NLWFT1G

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863-NVMFD5C680NLWFT

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6.389En existencias

16.500Se espera el 23-10-2026

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$2.797

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$989

Envase tipo carrete

$869

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C446NT1G
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NVMFD5C446NT1G

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863-NVMFD5C446NT1G

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28En existencias

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$6.363

$3.786

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Envase tipo carrete

$2.429

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2 Channel

40 V

127 A

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLT1G
onsemi
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NVMFD5C462NLT1G

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863-NVMFD5C462NLT1G

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111En existencias

4.500Se espera el 05-02-2027

Cinta cortada

$3.933

$2.577

$1.872

$1.567

$1.462

Envase tipo carrete

$1.462

MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

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84 A

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1.2 V

23 nC

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50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C462NLWFT1G
onsemi
1: $4.301
23En existencias

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NVMFD5C462NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NLWFT

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

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Cinta cortada

$4.301

$2.535

$2.103

$1.767

$1.546

Envase tipo carrete

$1.546

Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.9 mOhms, 3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

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50 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C462NT1G
onsemi
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380En existencias
1.500Se espera el 02-02-2028

N.º de artículo del Fabricante
NVMFD5C462NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C462NT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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380En existencias

1.500Se espera el 02-02-2028

Cinta cortada

$4.049

$2.640

$1.851

$1.546

$1.441

Envase tipo carrete

$1.441

MouseReel Disponible

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: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

70 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

16 nC

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NLT1G
onsemi
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NVMFD5C478NLT1G

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863-NVMFD5C478NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 14.5 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8

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317En existencias

Cinta cortada

$2.850

$1.399

$1.262

$1.009

$889

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$886

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Min.: 1
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SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

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1.2 V

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AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

NVMFD5C478NT1G
onsemi
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NVMFD5C478NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFD5C478NT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 17 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8

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Cinta cortada

$2.882

$1.420

$1.273

$1.022

$900

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$899

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SO-8FL-Dual-8

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40 V

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C672NLT1G
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NVMFD5C672NLT1G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

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Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

49 A

9.8 mOhms, 9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

12.3 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C466NLWFT1G
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1: $3.944
111En existencias
3.000Se espera el 08-12-2026
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$1.840

$1.525

$1.378

Envase tipo carrete

$1.378

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

52 A

6.2 mOhms, 6.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL S08FL DS

NVMFD5C470NLT1G
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36En existencias
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$1.304

$1.000

$934

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$876

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Mult.: 1

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

40 V

36 A

9.2 mOhms, 9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

24 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

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NVMFD5C650NLT1G
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MouseReel Disponible

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SO-8FL-Dual-8

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2 Channel

60 V

111 A

3.5 mOhms, 3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V LL S08FL DS

NVMFD5C680NLT1G
onsemi
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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 340

: 1.500

SMD/SMT

SO-8FL-Dual-8

N-Channel

2 Channel

60 V

26 A

23 mOhms, 23 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

5 nC

- 55 C

+ 175 C

19 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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