MOSFETs for Seat Control

MOSFETs are also for power switching circuits. Unlike bipolar junction transistors (BJTs), the competing type of power transistor, MOSFETs do not require a continuous flow of drive current to remain in the ON state. Additionally, MOSFETs can offer higher switching speeds, lower switching power losses, lower on-resistances, and reduced susceptibility to thermal runaway. In switched-mode power supplies (SMPSs), MOSFETS are often used as the switching elements for regulation as well as for power factor correction (PFC).

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Resultados: 52
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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27.681En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 155 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
Hoja de datos
1.764En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 346 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
Hoja de datos
1.687En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 189 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
Hoja de datos
121.241En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 81 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 50a .15 Ohms/VGS=1V
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8.084En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 9.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
18.540En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 37A
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8.653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 110 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan PowerTrench MOSFET 80V, 22A
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6.608En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 80 V 22 A 11.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 41 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V
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3.991En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75V 80a .6Ohms/VGS=1V
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2.836En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 95 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement PowerTrench Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement, Logic Level 60V, D2PAK-3
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909En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 26 A 42 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 24 nC - 65 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 85A TDSON-8 OptiMOS 3
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4.830En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 47 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 25A, Dual N-Channel Power MOSFET
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4.667En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
7.260En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 41 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 56 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
6.006En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 40 V 10 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 26 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 30A, Dual N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.925En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-6 N-Channel 2 Channel 60 V 6 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
3.845En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 3.8 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.196En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 20 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
3.901En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 87 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.924En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
5.000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 15 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 157A, Single N-Channel Power MOSFET
Hoja de datos
4.740En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PDFN56U-5 N-Channel 1 Channel 40 V 24 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 118 nC - 55 C + 175 C 3.1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel PowerTrench
Hoja de datos
5.655En existencias
4.800Se espera el 14-08-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 460
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 124 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
Hoja de datos
1.450En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 135 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Volts 60 Amps 83 Watts
Hoja de datos
2.476En existencias
3.000Se espera el 02-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 7.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 58 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel