OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

Resultados: 60
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7
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5.898En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 570 A 390 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 144 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2.237En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 455 A 510 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 110 nC - 55 C + 175 C 198 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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3.241En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-5-1 N-Channel 1 Channel 40 V 410 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 94 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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1.690En existencias
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Si SMD/SMT HSOF-5-2 N-Channel 1 Channel 40 V 330 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 72 nC - 55 C + 175 C 149 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 8.482En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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9.994En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 9.538En existencias
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Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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1.719En existencias
5.000Se espera el 05-03-2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 63 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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2.064En existencias
5.000Se espera el 05-03-2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 51.5 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
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6.941En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 35.2 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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18.350En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 40 V 414 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 98 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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18.229En existencias
30.000Se espera el 06-08-2026
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 370 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 82 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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22.900En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 268 A 960 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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7.299En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 532 A 590 uOhms 1.5 V 146 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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4.898En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 430 A 520 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 109 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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3.448En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 600 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 95 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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5.497En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 275 A 910 uOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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4.168En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 222 A 1.13 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 49 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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5.371En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 179 A 1.43 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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26.297En existencias
65.000En pedido
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 144 A 1.92 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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13.143En existencias
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 214 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 105 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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7.344En existencias
45.000En pedido
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 139 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
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2.375En existencias
10.000Se espera el 09-07-2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.82 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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216En existencias
5.000Se espera el 28-05-2026
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Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
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344En existencias
5.000Se espera el 16-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape