OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

Resultados: 66
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
2.258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology
Hoja de datos
5En existencias
2.000Se espera el 02-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
21En existencias
5.000Se espera el 04-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 62 A 5.41 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 175 C 40 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.34 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Hoja de datos
5.720En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 132 A 2.34 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.56 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Hoja de datos
5.880En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 127 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5.856En existencias
4.000Se espera el 07-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 770 uOhms 20 V 3 V 112 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.195En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 293 A 1.26 mOhms 20 V 2 V 120 nC - 55 C + 175 C 219 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.687En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 210 A 1.8 mOhms 20 V 2 V 79.9 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.930En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 177 A 2.4 mOhms 16 V 2 V 65.2 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
2.553En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 130 A 3.3 mOhms 16 V 2 V 44.3 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.63 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
1.647En existencias
4.000Se espera el 24-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-3 N-Channel 1 Channel 80 V 262 A 1.63 mOhms 20 V 3.2 V 83 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
5.284En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-2 N-Channel 1 Channel 80 V 223 A 1.94 mOhms 20 V 3.2 V 68 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 2.44 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T
Hoja de datos
5.567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 186 A 2.44 mOhms 20 V 3.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 157 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 4.54 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7
Hoja de datos
5.359En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10-1 N-Channel 1 Channel 80 V 103 A 4.54 mOhms 20 V 3.2 V 27 nC - 55 C + 175 C 98 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5.213En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 199 A 1.25 mOhms 16 V 1.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
5.380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 117 A 2.56 mOhms 16 V 1.8 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
10.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 4.6 mOhms 20 V 3.2 V 27.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
4.350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.9 mOhms 16 V 2 V 10.9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
3.200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 76 A 7.8 mOhms 20 V 3.2 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Hoja de datos
780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 84 A 3.78 mOhms 16 V 1.8 V 15 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
864En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 82 A 4.01 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape