Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

Resultados: 148
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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12.374En existencias
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 25 V 18 A 8.6 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 56 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 25V Vgs SO-8
Hoja de datos
3.192En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 27.2 A 4.5 mOhms - 25 V, 25 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
2.185En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 20.5 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 77 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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6.420En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10.9 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
4.975En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 19.3 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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5.346En existencias
5.000Se espera el 19-02-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 17 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 25V Vgs SO-8
Hoja de datos
17.813En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
4.717En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 12.1 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 150 C 3.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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8.967En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 38 nC - 55 C + 150 C 4.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
17.263En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 11.4 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 33A 7.8W 3.8mohm @ 10V
Hoja de datos
3.203En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 33 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
2.492En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 2.2 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8
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10.872En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 26.6 A 6.2 mOhms - 8 V, 8 V 600 mV 125 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI44
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6.163En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 4 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
10.545En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 36 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 285 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
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7.446En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 5.8 A, 6.8 A 35.5 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V, 1.4 V 11.7 nC, 25 nC - 55 C + 150 C 3 W, 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 16V Vgs SO-8
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3.074En existencias
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Min.: 1
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Si TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
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2.768En existencias
5.000Se espera el 19-02-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 20V Vgs SO-8
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2.737En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 80 V 9.5 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
9.554En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 5.8 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT SI40
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14.378En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 11.1 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 29.5 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
46.783En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 10.3 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 5.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 16V Vgs SO-8
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4.297En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 20 A 6 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 95 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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10.215En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8
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4.441En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 46 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel