Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different VGS and VDS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% Rg and UIS tested.

Resultados: 148
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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59.449En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 14 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
Hoja de datos
56.309En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 25 V 8 A 18 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 25 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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81.208En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 3.1 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 22 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 20V Vgs SO-8
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78.270En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 25.7 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 203 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs SO-8
Hoja de datos
114.077En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 20 V 18.6 A 8 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 108 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
Hoja de datos
32.163En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 19.2 A 15.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.6 V 135 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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31.074En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 12V 1.4W
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3.986En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
2.499En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30.5 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
3.262En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 44 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13.5A 0.0085Ohm
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7.325En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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6.318En existencias
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 39 A 2.75 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 70 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8
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10.344En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 14.9 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 1.4 V 57 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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21.275En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 25.4 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
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2.165En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V
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5.086En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 13.5 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 50 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 20A 0.0045Ohm
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2.044En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 20 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 36 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V Vds 8V Vgs SO-8
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3.821En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 12 V 34 A 2.7 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 84 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 23A 3.5W
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6.517En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 28 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 100 nC - 55 C + 150 C 6.25 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V Vds 20V Vgs SO-8
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6.492En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 3.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
Hoja de datos
14.602En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V Vds 20V Vgs SO-8
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16.894En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 150 V 2.8 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 5.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8
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2.355En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 24.5 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 68 nC - 55 C + 150 C 5.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs SO-8
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14.631En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 32.1 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 40 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8
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22.941En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel