Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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158En existencias
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IPW60R099C7XKSA1
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1: $6.810
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IPW60R099C7XKSA1

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IPW60R180C7XKSA1

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IPZ60R099C7XKSA1
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1: $7.260
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IPZ60R099C7XKSA1

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IPA60R060C7XKSA1
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IPA60R060C7XKSA1

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IPP60R120C7XKSA1
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IPP60R120C7XKSA1

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726-IPP60R120C7XKSA1

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IPP60R180C7XKSA1
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362En existencias
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IPP60R180C7XKSA1

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726-IPP60R180C7XKSA1

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500Se espera el 09-07-2026

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IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
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IPW60R120C7XKSA1

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240Se espera el 18-02-2027

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N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

40 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.215
2.000Se espera el 27-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

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726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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2.000Se espera el 27-08-2026

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

120 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

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