Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
1.520 Se espera el 26-03-2026
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Detalles
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
50 A
34 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
107 nC
- 55 C
+ 150 C
227 W
Enhancement
CoolMOS
Tube