Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.

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Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112E-T1_GE3
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N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ142EP-T1_JE3
Vishay / Siliconix
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$684

$541

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SMD/SMT

SO-8

N-Channel

1 Channel

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167 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

191 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape

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SQJQ130EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

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SQJQ402E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-8x8-4

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJQ144AER-T1_GE3
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Enhancement

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SQJQ100E-T1_GE3
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1 Channel

40 V

160 A

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1.5 V

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+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

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- 20 V, 20 V

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68 nC

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+ 175 C

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Enhancement

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46 nC

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PowerPAK-8x8-4

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2 Channel

40 V

95 A

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJQ480E-T1_GE3
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SQJQ148E-T1_GE3
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PowerPAK-8x8-4

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TrenchFET

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SQJQ142E-T1_GE3
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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

460 A

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- 20 V, 20 V

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92 nC

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+ 175 C

500 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJQ904E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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$4.491

$2.957

$2.083

$1.870

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$1.579

$1.523

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

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75 nC

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75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ980EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $3.875
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SQJQ980EL-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

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Cinta cortada

$3.875

$2.531

$1.758

$1.512

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$1.310

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

80 V

36 A

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- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ112ER-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $5.365
5.070En existencias

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SQJQ112ER-T1_GE3

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78-SQJQ112ER-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

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Cinta cortada

$5.365

$3.573

$2.542

$2.386

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$1.938

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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

1 Channel

100 V

296 A

2.53 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

181 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

SQJQ150E-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJQ150E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ150E-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C AEC-Q101

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$3.158

$2.128

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$1.105

$1.005

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SMD/SMT

PowerPak-8

N-Channel

1 Channel

40 V

233 A

1.9 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

61 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

SQJQ404E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ404E-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ404E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 8 x 8L

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$4.256

$2.789

$1.960

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Envase tipo carrete

$1.411

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

40 V

200 A

1.72 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

175 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJQ900E-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ900E-T1_GE3

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78-SQJQ900E-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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$2.475

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$1.198

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJQ114EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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$2.408

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SMD/SMT

PowerPAK-8

N-Channel

1 Channel

100 V

136 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

102 nC

- 55 C

+ 175 C

277 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJQ142ER-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJQ142ER-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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345 A

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3.5 V

92 nC

- 55 C

+ 175 C

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SQJQ140E-T1_JE3
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PowerPAK-8-8L-4

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Empresa

Recursos

Soporte

36 A
63 A
70 A
95 A
100 A
135 A
136 A
150 A
160 A
167 A
200 A
233 A
245 A
280 A
296 A
329 A
345 A
373 A
375 A
413 A

520 uOhms
530 uOhms
650 uOhms
900 uOhms
1 mOhms
1.24 mOhms
1.3 mOhms
1.4 mOhms
1.5 mOhms
1.72 mOhms
1.9 mOhms
2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.53 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.6 mOhms

19 nC
26 nC
32 nC
34 nC
45 nC
46 nC
61 nC
68 nC
69 nC
75 nC
92 nC
98 nC
102 nC
116 nC
120 nC
123 nC
135 nC
144 nC
150 nC
175 nC