Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Id - Corriente de drenaje continua

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJ952EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

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SQ3585EV-T1_GE3
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SQJ974EP-T1_GE3
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1.5 V, 2.5 V

30 nC, 45 nC

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34 W

Enhancement

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SQJB60EP-T1_GE3
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N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

30 nC

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AEC-Q101

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2 Channel

40 V

160 A

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1.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJQ960EL-T1_GE3
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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

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2 V

19 nC

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71 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified

SQJ968EP-T1_GE3
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SQJ968EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

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+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJB40EP-T1_GE3
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SQJB40EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

30 A

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- 20 V, 20 V

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+ 175 C

34 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ1902AEL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SOT-363-6

N-Channel

2 Channel

20 V

780 mA

200 mOhms

- 12 V, 12 V

600 mV

1.2 nC

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+ 175 C

430 mW

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ910AEP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

5.8 mOhms, 5.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

39 nC

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+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQJ914EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

15 nC

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+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual 60V PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ958EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ958EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

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35 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified

SQJA34EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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75 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
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$923

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified

SQJB00EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

30 A

10.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQJA36EP-T2_GE3
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$768

Min.: 3.000
Mult.: 3.000

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

1 Channel

40 V

350 A

1.24 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

86 nC

- 55 C

+ 175 C

500 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
3.57 A, 2.5 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
30 A, 18 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W