Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQJQ910EL-T1_GE3
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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified

SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ208EP-T1_GE3
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SQJ980AEP-T1_GE3
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SQJB90EP-T1_GE3
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SQJ946EP-T1_GE3
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SQJ946EP-T1_GE3

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Enhancement

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SQJB70EP-T1_GE3
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2 Channel

100 V

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SQJ260EP-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

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SQJ990EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ990EP-T1_GE3

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78-SQJ990EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8L-4

N-Channel

2 Channel

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27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ844AEP-T1_GE3
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SQJ844AEP-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

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- 20 V, 20 V

1.5 V

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48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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PowerPAK-8x8-4

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75 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ262EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ262EP-T1_GE3

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78-SQJ262EP-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

15 A, 40 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

6.5 nC, 14.5 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJQ960EL-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJQ960EL-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

60 V

63 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

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+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ4282EY-T1_GE3
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

8 A

12.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V(D-S)175C MOSFET P-CHANNEL PowerPAK

SQS423ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS423ENW-T1_GE3

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78-SQS423ENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

P-Channel

1 Channel

30 V

16 A

21 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

2 Channel

40 V

100 A

3.4 mOhms, 3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

135 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

3 mOhms, 8.3 mOhms

- 12 V, 12 V

500 mV

20 nC, 50 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

N-Channel

2 Channel

12 V

20 A, 60 A

5.2 mOhms, 2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

22 nC, 54 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W, 48 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFE

SQJ740EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK SO-8

N-Channel

2 Channel

40 V

123 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

93 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

780 mA
800 mA
840 mA
850 mA
2.5 A, 3.57 A
8 A
11.3 A
15 A
15 A, 40 A
16 A
17 A
17 A, 34 A
18 A, 30 A
20 A, 54 A
20 A, 60 A
23 A
23.5 A
30 A
36 A
40 A

1.24 mOhms
2.9 mOhms, 2.9 mOhms
3 mOhms, 8.3 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.4 mOhms, 3.4 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms, 3.6 mOhms
4.5 mOhms, 11 mOhms
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
5.8 mOhms, 5.8 mOhms
6.2 mOhms
6.3 mOhms, 6.3 mOhms
7.4 mOhms, 3.1 mOhms
8.6 mOhms
9 mOhms
9.4 mOhms, 3.9 mOhms
9.8 mOhms
10 mOhms
10.5 mOhms

700 pC
1.15 nC
1.2 nC
1.25 nC
2.5 nC, 3.5 nC
6.5 nC, 14.5 nC
7 nC
12 nC, 25 nC
15 nC
15 nC, 30 nC
17 nC
18 nC, 43 nC
18.5 nC
19 nC
20 nC
20 nC, 45 nC
20 nC, 50 nC
21 nC
22 nC, 54 nC
25 nC

430 mW
1.5 W
1.67 W
3.9 W
25 W
27 W
27 W, 48 W
34 W
35 W
42 W
45 W
48 W
50 W
62.5 W
68 W
71 W
75 W
93 W
135 W
187 W