NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

Resultados: 178
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 3.383En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 4.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 9 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 2.524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 4.2 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 11.8 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel MOSFET A 595-CSD17577Q3A A A 595-CSD17577Q3A 15.900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 48 A 8.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 2.6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD19506KTT 927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel NexFET Power MOSFET 1.653En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 2.3 mOhms - 8 V, 10 V 1.2 V 24 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18514Q5A 19.126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 2.871En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 2.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 13.3 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET 6.093En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5 A 12.4 mOhms - 10 V, 10 V 1.6 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 2.340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 9.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.9 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD16401Q5 507En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N Channel NexFET Power MOSFET 1.788En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 9 mOhms - 8 V, 10 V 1.2 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17578Q5A 1.875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V Dual N-Channel MOSFET A 595-CSD8750 A 595-CSD87503Q3E 986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 17.3 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 42.8 nC - 55 C + 150 C 15.6 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD1 A 595-CSD17581Q5A 1.551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 54 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET 3.000En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DSBGA-12 N-Channel 2 Channel 25 V 5 A 42 mOhms - 8 V, 10 V 1 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pwr Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2.337En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 5.8 mOhms - 8 V, 10 V 1.1 V 6.8 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2 2.902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 30 V 25 A 16.9 mOhms - 8 V, 10 V 600 mV 6 nC - 55 C + 150 C 16 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch NexFET Power MO SFETs 876En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 2.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 16.6 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh Nex FET Pwr MOSFET 2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 15.5 mOhms - 10 V, 10 V 1.6 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET A 595-CSD A 595-CSD17578Q5A 3.650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 6 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET si 300En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 10.000

Si SMD/SMT WSON-6 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS 889En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60-V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18532Q5BT 19.706En existencias
22.500Se espera el 03-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 750
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 60 V 172 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-channel NexF ET Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD19532KTT 9.576En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 44 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.0 mOhm N-Ch N exFET Power MOSFET A 595-CSD19532Q5BT 17.150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 48 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel