100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low RDS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.8mohms TOLL for Industrail market Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

Si N-Channel 100 V 240 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 65 nC Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.6 A 135 mOhms - 25 V, 25 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 34.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 1 Channel - 55 C + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 3.3 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel