100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low RDS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

Resultados: 30
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5.882En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 5.430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 1.3 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.5 A 118 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.4 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 2.680En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 2.3 A 118 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 4.4 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 4.2m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 100W solution 5.679En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 109 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 65W solution 5.339En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 63 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 9.8m ohms Excellect low FOM MOSFET for PD3.0 45W solution 5.990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 9.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 28m ohms Excellect low FOM MOSFET for Headlight solution 7.853En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 21 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 9 nC - 55 C + 175 C 29.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 7.4m ohms Excellent low FOM MOSFET for DC to DC Converter Application 1.610En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 24 nC - 55 C + 175 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 1.438En existencias
9.000Se espera el 18-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 13.695En existencias
9.000Se espera el 18-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 100 V 900 mA 650 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected 3.216En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 mA 9 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3 8.167En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 mA 9 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 25 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET 2.720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 1.980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 34 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 mA 10 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 mA 9 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected Plazo de entrega no en existencias 25 Semanas
Min.: 12.000
Mult.: 12.000
Carrete: 12.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 100 V 300 mA 9 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 100 V 10 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 100 V 14 A - 20 V, 20 V 3 V 40.7 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 3.000
Mult.: 3.000
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 28.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 1.5mohms TOLL for ESS BBU LEV application Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
Carrete: 2.000

Si N-Channel 100 V 395 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 128 nC Reel