MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

Resultados: 81
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1.370En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-5 N-Channel 1 Channel 40 V 250 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
37En existencias
2.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
83En existencias
5.000Se espera el 19-02-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 610 A 470 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 129 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
4.114En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
21.428En existencias
15.000Se espera el 05-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 28 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
26.601En existencias
20.000Se espera el 10-12-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1.477En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 550 uOhms - 16 V, 16 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2.513En existencias
10.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 97 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
7.986En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.04 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
9.913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
2.988En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 381 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 94 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
6.975En existencias
5.000Se espera el 13-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 285 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
4.071En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000
Si SMD/SMT sTOLL-6 N-Channel 1 Channel 40 V 475 A 600 uOhms - 10 V, 10 V 2.1 V 127 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
257En existencias
10.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 74 A 5 mOhms - 16 V, 16 V 3 V 13 nC - 55 C + 175 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
1En existencias
2.000Se espera el 01-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
80En existencias
20.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 192 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 58 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
200En existencias
15.000Se espera el 13-08-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 8.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 19 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
2.140En existencias
5.000Se espera el 12-03-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 31 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 7.4 nC - 55 C + 175 C 48 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
5En existencias
5.000Se espera el 01-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
1.800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 113 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
13.200Se espera el 01-10-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 637 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 62 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
26.269En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 230 A 2.24 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 73 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
9.995Se espera el 15-10-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
8.985En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TFN-10 N-Channel 2 Channel 40 V 299 A 880 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 69 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape