MOSFET de potencia OptiMOS™ 6

Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de Infineon Technologies ofrecen una nueva generación, innovación de vanguardia y el mejor rendimiento de su clase. La familia OptiMOS 6 utiliza tecnología de oblea fina que permite importantes beneficios en el desempeño. Con respecto a productos alternativos, los MOSFET de potencia OptiMOS 6 tienen una menor RDS(ON) de 30 % y están optimizados para rectificación sincrónica.

Resultados: 107
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
10.250En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TSDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 31 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
10.000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
8.652En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 59 A 6.3 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 10 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
2.746En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-5-5 N-Channel 1 Channel 40 V 490 A 550 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 130 nC - 55 C + 175 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
4.748En existencias
2.000Se espera el 26-05-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
2.902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET 40 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance
Hoja de datos
3.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 40 V 166 A 2.05 mOhms 20 V 2.3 V 25 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1.605En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 245 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)
Hoja de datos
3.612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLG (10x12)
Hoja de datos
1.742En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HSOG-8-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 V, N-Ch, 3.8 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)
Hoja de datos
1.773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

Si SMD/SMT PG-HDSOP-16-1 N-Channel 1 Channel 150 V 170 A 3.8 mOhms 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in DPAK 7-pin
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V in TOLL
Hoja de datos
1.475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
Hoja de datos
5.358En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 33 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 80 V
Hoja de datos
6.050En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 80 V 127 A 3.15 mOhms 20 V 2.3 V 26 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
2.645En existencias
5.000Se espera el 02-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Hoja de datos
3.465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
713En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
332En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
776En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
Hoja de datos
378En existencias
6.000Se espera el 25-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 6.000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape