Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
897 En existencias
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$4.274
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Si
Through Hole
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
IPP60R180P7XKSA1
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726-IPP60R180P7XKSA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Mult.: 1
Detalles
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
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CoolMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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IPW60R024P7XKSA1
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N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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Si
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TO-247-3
N-Channel
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650 V
101 A
24 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
164 nC
- 55 C
+ 150 C
291 W
Enhancement
CoolMOS
Tube