Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SIHG61N65EF-GE3
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48 A

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800 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $18.098
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

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Mult.: 1

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TO-247AC-3

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1 Channel

600 V

80 A

32 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

400 nC

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520 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG22N60EF-GE3

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78-SIHG22N60EF-GE3

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$3.231

$2.679

$2.229

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

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