Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) EF Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode

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N-Channel

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29 A

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5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

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N-Channel

1 Channel

600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

15 A

225 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

48 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

176 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

84 nC

- 55 C

+ 150 C

227 W

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Through Hole

N-Channel

1 Channel

600 V

29 A

102 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

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TO-220FP-3

N-Channel

1 Channel

650 V

8.4 A

193 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

63 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

417 W

Enhancement

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SIHB186N60EF-GE3
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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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600 V

8.4 A

168 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

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PowerPAK-8x8-4

N-Channel

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650 V

23 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

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SIHH11N65EF-T1-GE3
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MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

650 V

11 A

332 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH26N60EF-T1-GE3
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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

117 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PowerPAK-8x8-4

N-Channel

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600 V

16 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

41 nC

- 55 C

+ 150 C

147 W

Enhancement

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D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

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650 V

24 A

156 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

122 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

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SIHG24N65EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG61N65EF-GE3
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SIHG052N60EF-GE3
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600 V

48 A

52 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

67 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

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SIHG24N80AEF-GE3
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TO-247AC-3

N-Channel

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800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 800V 20A N-CH MOSFET

SIHP24N80AEF-GE3
Vishay / Siliconix
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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 150 C

208 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

SIHG80N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
1: $18.098
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SIHG80N60EF-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SIHG80N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC

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$18.098

$11.431

$10.501

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247AC-3

N-Channel

1 Channel

600 V

80 A

32 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

400 nC

- 55 C

+ 150 C

520 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V Vds 30V Vgs TO-247AC; w/diode

SIHG22N60EF-GE3
Vishay / Siliconix
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SIHG22N60EF-GE3

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78-SIHG22N60EF-GE3

Vishay / Siliconix

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$3.251

$2.679

$2.260

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

19 A

182 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

96 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

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