DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

Resultados: 250
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 3.721En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 8.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V-40V 2.393En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 116.1 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 4.179En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 2.394En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 41.3 nC - 55 C + 150 C 2.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET Low Rdson 4.506En existencias
4.000Se espera el 19-02-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 34 A 10 mOhms - 16 V, 16 V 700 mV 33.5 nC - 55 C + 150 C 19.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A 6.550En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 41.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K 31.899En existencias
15.000Se espera el 26-11-2027
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.630
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 10.4 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 700 mV 22.2 nC - 55 C + 150 C 13.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 17.506En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 9.2 A 16 mOhms - 16 V, 16 V 500 mV 18.9 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 10.311En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 60 V 45 A 9.5 mOhms - 16 V, 16 V 1 V 33.5 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 4.614En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 7.3 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 33.3 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A 5.913En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41.9 nC - 55 C + 175 C 2.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 7.620En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-C-8 N-Channel 2 Channel 60 V 47.6 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 40.2 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 7.694En existencias
10.000Se espera el 21-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.200
: 2.500
Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37.1 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 9.5mOHm 10V 98A 88En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 98 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 53.7 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 49.1 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 34En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 114 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 61V-100V 93En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 140 A 3.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 111.7 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 41En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 108 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 58.4 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 279En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 150

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V 6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 36.3 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 2.425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 100 V 13 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 40.2 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 762En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 56.4 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 2.414En existencias
4.000Se espera el 18-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230
: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 1.384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 33.3 nC - 55 C + 150 C 1.3 W Enhancement PowerDI Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V 1.868En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 47.2 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 21 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel