Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DMTx MOSFETs

Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are N-channel enhancement mode MOSFETs with low on-resistance and fast switching. These MOSFETs are also designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Diodes Incorporated DMTx MOSFETs are ideal for high-efficiency power management applications.

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Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6016LSD-13
Diodes Incorporated
1: $1.590
52.537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6016LSD-13

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621-DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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$1.590

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$668

$522

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$381

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

60 V

7.6 A

19.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

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- 55 C

+ 175 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
1: $2.397
54.344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W

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54.344En existencias

Cinta cortada

$2.397

$1.546

$1.042

$830

Envase tipo carrete

$666

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

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- 20 V, 20 V

3 V

96.3 nC

- 55 C

+ 150 C

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Enhancement

PowerDI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMT6015LFV-7
Diodes Incorporated
1: $963
17.398En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6015LFV-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6015LFV-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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$963

$615

$403

$312

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$237

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35 A

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- 16 V, 16 V

2.5 V

18.9 nC

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+ 150 C

30 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

DMTH6004SCTBQ-13
Diodes Incorporated
1: $3.450
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N.º de artículo del Fabricante
DMTH6004SCTBQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 3.4mOhm 10Vgs 100A

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$3.450

$2.520

$1.848

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$1.445

$1.389

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

163 A

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- 20 V, 20 V

2 V

95.4 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

DMTH6005LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: $1.926
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N.º de artículo del Fabricante
DMTH6005LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6005LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A

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$1.926

$1.490

$1.061

$853

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$696

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

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1 Channel

60 V

100 A

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- 20 V, 20 V

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47.1 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

DMTH6010LPD-13
Diodes Incorporated
1: $2.038
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DMTH6010LPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V

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$2.038

$1.299

$869

$687

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$548

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SMD/SMT

PowerDI5060-C-8

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2 Channel

60 V

47.6 A

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40.2 nC

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37.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A

DMT6010LPS-13
Diodes Incorporated
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3.470En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A

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$1.154

$944

$679

$572

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$450

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SMD/SMT

PowerDI5060-8

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1 Channel

60 V

13.5 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMT10H015LK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.243
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DMT10H015LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H015LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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$1.243

$1.015

$710

$598

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$470

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N-Channel

1 Channel

100 V

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- 20 V, 20 V

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33.3 nC

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+ 150 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

DMTH6010LPSQ-13
Diodes Incorporated
1: $1.814
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DMTH6010LPSQ-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010LPSQ-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

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$1.814

$1.434

$967

$782

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$634

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

60 V

13.5 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

41.3 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

DMT10H010LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.848
3.862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS

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3.862En existencias

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$1.848

$1.389

$972

$775

Envase tipo carrete

$618

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Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

100 V

29.5 A

14.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.4 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4011LFG-7
Diodes Incorporated
1: $918
9.551En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4011LFG-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4011LFG-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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9.551En existencias

Cinta cortada

$918

$568

$367

$281

Envase tipo carrete

$198

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Carrete: 2.000

SMD/SMT

PowerDI3333-8

N-Channel

1 Channel

40 V

30 A

11.5 mOhms

- 16 V, 20 V

1 V

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

15.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K

DMT6012LSS-13
Diodes Incorporated
1: $594
58.416En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6012LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6012LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K

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58.416En existencias

Cinta cortada

$594

$437

$318

$243

Envase tipo carrete

$147

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

10.4 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

700 mV

22.2 nC

- 55 C

+ 150 C

13.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.176
7.255En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4007LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4007LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A

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7.255En existencias

Cinta cortada

$1.176

$894

$623

$506

Envase tipo carrete

$405

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

29.1 nC

- 55 C

+ 175 C

2.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
1: $1.590
3.154En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH6010SK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6010SK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60

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3.154En existencias

Cinta cortada

$1.590

$1.089

$809

$638

Envase tipo carrete

$507

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Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

16.3 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

38.1 nC

- 55 C

+ 175 C

59 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH8003SPS-13
Diodes Incorporated
1: $2.946
2.024En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8003SPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8003SPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

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2.024En existencias

Cinta cortada

$2.946

$1.904

$1.310

$1.052

$972

Envase tipo carrete

$858

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

1 Channel

80 V

100 A

3.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

124.3 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A

DMTH8012LK3Q-13
Diodes Incorporated
1: $1.926
3.788En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH8012LK3Q-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH8012LK3Q-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V 175c N-Ch FET 16mOhm 10Vgs 50A

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3.788En existencias

Cinta cortada

$1.926

$1.232

$820

$646

Envase tipo carrete

$514

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

50 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

46.8 nC

- 55 C

+ 175 C

60 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V

DMT10H010LK3-13
Diodes Incorporated
1: $952
25.877En existencias
5.000Se espera el 18-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
DMT10H010LK3-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT10H010LK3-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 61V-100V

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25.877En existencias

5.000Se espera el 18-03-2026

Cinta cortada

$952

$739

$678

$666

Envase tipo carrete

$534

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

68.8 A

8.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

53.7 nC

- 55 C

+ 150 C

62.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT3006LFDF-7
Diodes Incorporated
1: $829
35.089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT3006LFDF-7

N.º de artículo de Mouser
621-DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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35.089En existencias

Cinta cortada

$829

$513

$355

$271

Envase tipo carrete

$189

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Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

DFN-2020-6

N-Channel

1 Channel

30 V

14.1 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

16.7 nC

- 55 C

+ 150 C

2.1 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

DMT6010LSS-13
Diodes Incorporated
1: $1.467
8.940En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT6010LSS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT6010LSS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

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8.940En existencias

Cinta cortada

$1.467

$1.102

$800

$673

Envase tipo carrete

$573

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

1 Channel

60 V

14 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

800 mV

41.3 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

DMTH4011SPD-13
Diodes Incorporated
1: $1.355
5.071En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMTH4011SPD-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMTH4011SPD-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 31V 40V

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5.071En existencias

Cinta cortada

$1.355

$852

$561

$437

Envase tipo carrete

$325

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

PowerDI5060-8

N-Channel

2 Channel

40 V

42 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

10.6 nC

- 55 C

+ 175 C

37.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

DMT4004LPS-13
Diodes Incorporated
1: $1.893
3.404En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DMT4004LPS-13

N.º de artículo de Mouser
621-DMT4004LPS-13

Diodes Incorporated

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 61V-100V

DMTH10H010SPS-13
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123 A

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- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

DMTH6009LK3Q-13
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DMTH6009LK3Q-13

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60 W

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DMTH6009LPS-13
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DMTH6009LPS-13

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PowerDI5060-8

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60 V

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33.5 nC

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DMTH6005LCT
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DMTH6005LCT

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TO-220-3

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DMTx MOSFETs

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Recursos

Soporte

4 A
5 A
7.3 A
7.4 A
7.6 A
7.7 A
8.3 A
8.4 A
8.8 A
8.9 A
9.2 A
9.4 A
9.5 A
9.7 A
10 A
10.4 A
10.6 A
10.8 A
11.6 A
11.76 A

1.35 mOhms
1.4 mOhms
1.6 mOhms
1.7 mOhms
1.8 mOhms
2 mOhms
2.2 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.4 mOhms
3.6 mOhms
3.65 mOhms
3.7 mOhms

5.1 nC
7 nC
8.4 nC
10.2 nC
10.6 nC
12 nC
13.6 nC
13.9 nC
14 nC
14.2 nC
15 nC
15.1 nC
15.3 nC
16.7 nC
17 nC
18.9 nC
20 nC
21 nC
21.4 nC
22.2 nC

800 mW
1.2 W
1.3 W
1.5 W
1.6 W
1.67 W
1.8 W
1.9 W
1.98 W
2 W
2.1 W
2.2 W
2.3 W
2.35 W
2.38 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W