SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

Resultados: 131
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 145.613En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 850 mA 210 mOhms, 788 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.6 V 1.4 nC, 1.6 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified 113.709En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 20 V 3.9 A 130 mOhms - 8 V, 8 V 1.5 V 3.1 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 25.344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified 31.430En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 7.5 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified 308.196En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 20 V 840 mA 350 mOhms - 12 V, 12 V 1 V 700 pC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified 30.040En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 29 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 52.606En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 3.039En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 32 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 110 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60V (D-S) 60.154En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2.8 A 177 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 4.677En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V 3.405En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL P-CHANNEL 30V 10.823En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 30 V 5 A 56 mOhms, 56 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 14.102En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 15A 5W AEC-Q101 Qualified 17.843En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-CHANNEL 40 V 6.772En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 40 V 8 A 20 mOhms, 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 43 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 12V 9.470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 25 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 101 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30 V 11.096En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 18 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 42.462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 7.5 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 150V SO-8 24.212En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 150 V 18 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 10.896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 15 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 58 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V (D-S) 79.870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 170 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified 50.810En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified 37.306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 3 A 85 mOhms, 85 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.2 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified 6.519En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified 2.359En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 22 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel