SQ Automotive Power MOSFETs

Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and produced using a special process design that is optimized for use in the automotive industry. These SQ MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. The SQ MOSFETs are available in various packages for design flexibility. Packages include the TO-252, TO-262, TO-263, PowerPAK® SO-8, PowerPAK 8x8L, PowerPAK SO-8L, D2PAK (TO-263), DPAK, and PowerPAK 1212-8W, as well as several space-saving, small-outline options. A full range of polarity options is also available, including N-channel and P-channel co-packages. Vishay / Siliconix SQ Automotive Power MOSFETs are offered in various polarity options, including N-channel and P-channel co-packages.

Resultados: 131
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
3.701En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 2 Channel 40 V 8 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11.2 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
912En existencias
9.000Se espera el 23-03-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 175 C 62.5 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Hoja de datos
2.911En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 30 V 7.5 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 175 C 4 W Enhancement

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds +/-12V Vgs AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
202.064En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 30 V 1.7 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 5.2 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
138.021En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 200 mOhms - 12 V, 12 V 450 mV 1.25 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
181.230En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 800 mA 200 mOhms, 200 mOhms - 12 V, 12 V 450 mV 1.15 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 20V Vds SOT-363
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127.676En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 850 mA 300 mOhms - 12 V, 12 V 1.5 V 1.2 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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57.355En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 40 V 6.9 A 61 mOhms - 12 V, 12 V 2.5 V 8.4 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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409.702En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 30V TSOP-6
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179.653En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 2 Channel 30 V 2.5 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 11.1 nC - 55 C + 175 C 1.67 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60V
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39.310En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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30.203En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 12 V 25 A 5.1 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 101 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
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20.099En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 8 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 4.4 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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28.061En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 2 Channel 60 V 4.4 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 40 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 3A 3W AEC-Q101 Qualified
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164.630En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 30 V 3 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6.5 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
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164.478En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2.5 A 170 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 4.5 nC - 55 C + 175 C 1.9 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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541.237En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 60 V 5.3 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.3 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30V
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38.977En existencias
Min.: 1
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Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10.8 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified
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300.666En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 100 C 2.7 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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311.003En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 850 mA 150 mOhms, 500 mOhms - 8 V, 8 V 450 mV, 1.5 V 930 pC, 1 nC - 55 C + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 12V (D-S)
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378.774En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 12 V 5 A 50 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 9 nC - 55 C + 175 C 2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30V (D-S)
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176.007En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 30 V 8 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.95 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
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58.748En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 10.8 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 6 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
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58.449En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 60 V 18 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 25 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60 V
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Comentarios de Producto
71.655En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 60 V 4.6 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 3.75 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape