Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 78A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
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Si
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TDSON-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
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Si
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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5.000 Se espera el 03-02-2027
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Detalles
Si
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OptiMOS
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 58A TDSON-8 OptiMOS
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Embalaje alternativo
1
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Detalles
Si
SMD/SMT
TDSON-8
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Enhancement
OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC067N06LS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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Si
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Infineon Technologies
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N.º de artículo de Mouser
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
46 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
5.127 En existencias
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Si
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
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Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS
5.007 En existencias
1
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Comprar
Min.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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Enhancement
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Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC093N04LS G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 49A TDSON-8 OptiMOS 3
42.178 En existencias
Embalaje alternativo
1
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Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
TDSON-8
N-Channel
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OptiMOS
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC100N06LS3 G
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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TDSON-8
N-Channel
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60 V
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7.8 mOhms
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1.2 V
45 nC
- 55 C
+ 150 C
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Enhancement
OptiMOS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC190N15NS3 G
Infineon Technologies
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TDSON-8
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150 V
50 A
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2 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC252N10NSF G
Infineon Technologies
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1.599 En existencias
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Si
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TDSON-8
N-Channel
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40 A
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2 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
BSZ060NE2LS
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726-BSZ060NE2LS
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
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TSDSON-8
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1 Channel
25 V
40 A
6.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 36A TDSON-8 OptiMOS
BSZ0909NS
Infineon Technologies
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402 En existencias
10.000 Se espera el 24-12-2026
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726-BSZ0909NS
Infineon Technologies
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402 En existencias
10.000 Se espera el 24-12-2026
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$180
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
N-Channel
1 Channel
34 V
36 A
12 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
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