Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
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IPB090N06N3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

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$1.588

$976

$643

$505

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$338

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 83A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$2.997

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$598

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 63A TDSON-8 OptiMOS

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Infineon Technologies
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BSZ018NE2LS

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Infineon Technologies
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BSZ050N03LS G

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$734

$483

$380

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Infineon Technologies
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NRND

Infineon Technologies

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$2.587

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IPB037N06N3 G
Infineon Technologies
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839En existencias

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IPB037N06N3 G

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726-IPB037N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$3.628

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC076N06NS3 G
Infineon Technologies
1: $2.156
3.368En existencias

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BSC076N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC076N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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$2.156

$1.357

$889

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$550

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50 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC011N03LS
Infineon Technologies
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18.767En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC011N03LS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC011N03LS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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18.767En existencias

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$2.408

$1.525

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$833

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$671

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

BSC265N10LSF G
Infineon Technologies
1: $2.019
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NRND

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BSC265N10LSF G

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NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2

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2.155En existencias

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$2.019

$1.252

$819

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$480

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
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BSC110N06NS3 G

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726-BSC110N06NS3G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

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$1.914

$1.188

$776

$610

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$408

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC520N15NS3 G
Infineon Technologies
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4.836En existencias
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BSC520N15NS3 G

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726-BSC520N15NS3GXT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3

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4.836En existencias

29.935En pedido

Cinta cortada

$2.282

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$977

$792

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$637

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150 V

21 A

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- 20 V, 20 V

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57 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

BSZ035N03MS G
Infineon Technologies
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4.407En existencias

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BSZ035N03MS G

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ035N03MSG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M

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4.407En existencias

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$1.146

$750

$589

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$384

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

113 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ097N04LS G
Infineon Technologies
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BSZ097N04LS G

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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157.005En existencias

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$1.483

$912

$601

$472

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TSDSON-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
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IPB081N06L3 G

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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$818

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$695

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1.2 V

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3.1 mOhms
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9.6 nC
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31 nC

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38 W
48 W
50 W
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63 W
69 W
71 W
74 W
78 W
79 W
83 W
96 W