Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQE065N10NM5CGSCATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $5.711
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IST026N10NM5AUMA1

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726-IST026N10NM5AUMA

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQE065N10NM5CGATMA1

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$3.849

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
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838En existencias

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IPP023N10N5XKSA1

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726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQD020N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQD020N10NM5CGATMA1

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Infineon Technologies

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IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQE046N08LM5CGATMA1

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Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Infineon Technologies
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ISC025N08NM5LF2ATMA1

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726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Infineon Technologies
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IPT013N08NM5LFATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
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IPP083N10N5XKSA1

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726-IPP083N10N5XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Infineon Technologies
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54En existencias
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IPTC014N10NM5ATMA1

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IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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929En existencias
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IQE050N08NM5CGSCATMA1

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Infineon Technologies
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IQE065N10NM5SCATMA1

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Infineon Technologies

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100 V

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

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615En existencias

$4.070

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TO-220-3

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120 A

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Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5ATMA1
Infineon Technologies
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100En existencias
10.000Se espera el 27-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-E046N08LM5ATMA1

Infineon Technologies

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100En existencias

10.000Se espera el 27-08-2026

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1 Channel

80 V

99 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $7.141
55En existencias
7.850En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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55En existencias

7.850En pedido

Cinta cortada

$7.141

$4.154

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$3.060

$2.734

Envase tipo carrete

$2.734

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HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

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3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.217
103En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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103En existencias

Cinta cortada

$4.217

$2.482

$1.977

$1.588

$1.578

Envase tipo carrete

$1.483

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

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3.8 V

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+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $4.102
92En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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92En existencias

Cinta cortada

$4.102

$2.093

$1.872

$1.535

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Envase tipo carrete

$1.346

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

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3.8 V

35 nC

- 55 C

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.901
11.970En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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11.970En pedido

Cinta cortada

$4.901

$3.155

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Ver

Envase tipo carrete

$1.767

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Min.: 1
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1 Channel

80 V

99 A

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $7.173
11.751En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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$7.173

$4.365

$3.691

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$3.250

Envase tipo carrete

$3.039

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

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- 20 V, 20 V

3.8 V

52 nC

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167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $6.321
5.000Se espera el 26-11-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQD016N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQD016N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5.000Se espera el 26-11-2026

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$6.321

$3.776

$3.071

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$2.608

Min.: 1
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: 5.000

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80 V

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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5.979Se espera el 17-09-2026

Cinta cortada

$4.333

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$1.567

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: 6.000

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WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.755
10.000Se espera el 17-09-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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10.000Se espera el 17-09-2026

Cinta cortada

$3.755

$1.883

$1.704

$1.388

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Envase tipo carrete

$1.283

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
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726-IQE050N08NM5SCAT

Infineon Technologies

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$2.072

$1.872

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$1.441

Min.: 6.000
Mult.: 6.000

: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

16 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

44 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel

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IPP020N08N5XKSA1
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IPP020N08N5XKSA1

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726-IPP020N08N5XKSA1

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$3.008

$2.850

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

178 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IST019N08NM5AUMA1
Infineon Technologies
1: $4.575
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N.º de artículo del Fabricante
IST019N08NM5AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IST019N08NM5AUMA

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Cinta cortada

$4.575

$3.018

$2.135

$1.977

Envase tipo carrete

$1.798

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Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

290 A

1.9 Ohms

- 20 V, 20 V

3.8 V

94 nC

- 55 C

+ 175 C

313 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

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