Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 28

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.694 5.979En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.979En existencias	Cinta cortada $4.694 $2.381 $2.165 $1.800 $1.698 Envase tipo carrete $1.698	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V BSC033N08NS5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.944 4.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC033N08NS5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-S33N08NS5SCATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V	Hoja de datos	4.000En existencias	Cinta cortada $4.944 $2.529 $2.290 $1.925 $1.857 Envase tipo carrete $1.800 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4.000	Si	SMD/SMT	WSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	144 A	3.3 mOhms	20 V	2.2 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	3 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.762 4.318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.318En existencias	Cinta cortada $4.762 $2.427 $2.199 $1.834 $1.732 Envase tipo carrete $1.732	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.637 4.266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.266En existencias	Cinta cortada $4.637 $2.358 $2.130 $1.846 Envase tipo carrete $1.595 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $6.619 1.401En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.401En existencias	Cinta cortada $6.619 $3.475 $3.167 $2.860 $2.700 Envase tipo carrete $2.700	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.329 5.095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.095En existencias	Cinta cortada $4.329 $2.825 $2.062 $1.732 Ver Envase tipo carrete $1.504 $1.606 $1.504 $1.504	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.329 2.738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.738En existencias	Cinta cortada $4.329 $2.187 $1.971 $1.618 $1.515 Envase tipo carrete $1.515	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.499 1.331En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP023N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.331En existencias	$8.499 $5.685 $4.568 $4.056 $3.600	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $7.257 2.553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.553En existencias	Cinta cortada $7.257 $3.839 $3.509 $3.236 $3.133 Envase tipo carrete $3.019	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.979 7.414En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7.414En existencias	Cinta cortada $4.979 $2.552 $2.313 $1.948 Envase tipo carrete $1.948 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPTC011N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $8.510 51En existencias 12.600En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC011N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC011N08NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	51En existencias 12.600En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC011N08NM5ATMA1 Existencias: 51 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 7.200 Se espera el 15-07-2027 5.400 Se espera el 05-08-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $8.510 $5.571 $4.101 $3.646 $3.224 Envase tipo carrete $3.224	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	80 V	408 A	1.1 mOhms	20 V	3.8 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.728 455En existencias 6.000Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	455En existencias 6.000Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $4.728 $3.099 $2.313 $1.937 Ver Envase tipo carrete $1.675 $1.800 $1.675 $1.675	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: $11.245 2.754En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT013N08NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT013N08NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.754En existencias	Cinta cortada $11.245 $6.198 $5.776 $5.457 Envase tipo carrete $5.457 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	333 A	1.3 mOhms	20 V	4.1 V	158 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP034N08N5XKSA1 IPP034N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $4.409 615En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP034N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP034N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	615En existencias	$4.409 $2.233 $2.017 $1.777 $1.549	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	3.4 mOhms	20 V	3.8 V	69 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.694 5En existencias 6.000Se espera el 28-01-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5En existencias 6.000Se espera el 28-01-2027	Cinta cortada $4.694 $2.780 $2.176 $1.811 $1.743 Envase tipo carrete $1.618	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.443 92En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	92En existencias	Cinta cortada $4.443 $2.267 $2.028 $1.663 Ver Envase tipo carrete $1.470 $1.606 $1.549 $1.470 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPTC014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.941 10.784En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPTC014N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC014N10NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.784En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPTC014N10NM5ATMA1 Existencias: 0 En pedido: 1.784 Se espera el 18-02-2027 1.800 Se espera el 15-04-2027 7.200 Se espera el 04-11-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $7.941 $5.309 $4.272 $3.794 $3.361 Envase tipo carrete $3.361 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	100 V	365 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	211 nC	- 55 C	+ 175 C	3.8 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V ISG0616N10NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $7.747 11.751En pedido	N.º de artículo del Fabricante ISG0616N10NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0616N10NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11.751En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: ISG0616N10NM5HSCATMA1 Existencias: 0 En pedido: 5.751 Se espera el 11-03-2027 6.000 Se espera el 25-03-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $7.747 $4.124 $3.771 $3.520 Envase tipo carrete $3.293 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	100 V	139 A	4 mOhms	20 V	3.8 V	52 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.819 10.000Se espera el 25-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-E046N08LM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.000Se espera el 25-02-2027	Cinta cortada $4.819 $2.461 $2.005 $1.743 Ver Envase tipo carrete $1.629 $1.686 $1.652 $1.629	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQD016N08NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $6.847 4.870Se espera el 26-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IQD016N08NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD016N08NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.870Se espera el 26-11-2026	Cinta cortada $6.847 $3.931 $3.304 $3.076 Ver Envase tipo carrete $2.791 $3.030 $3.008 $2.791	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	323 A	1.57 mOhms	20 V	3.8 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.172 6.000Se espera el 11-02-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6.000Se espera el 11-02-2027	Cinta cortada $5.172 $2.655 $2.415 $2.051 Ver Envase tipo carrete $1.914 $2.039 $1.982 $1.914 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.238 10.000Se espera el 19-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.000Se espera el 19-11-2026	Cinta cortada $4.238 $2.165 $1.925 $1.595 Ver Envase tipo carrete $1.390 $1.527 $1.424 $1.390	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IPP083N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $3.748 499Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPP083N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP083N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	499Se espera el 10-12-2026	$3.748 $1.868 $1.686 $1.356 $1.299	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	44 A	8.3 mOhms	20 V	3.8 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	36 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1 IPP023N08N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $6.950 500Se espera el 06-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IPP023N08N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N08N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	500Se espera el 06-11-2026	$6.950 $3.646 $3.327 $2.746 $2.666	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5SCATMA1 Infineon Technologies 6.000: $1.618 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete $1.618	Min.: 6.000 Mult.: 6.000 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	16 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	44 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement		Reel