Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Dp - Disipación de potencia

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQE065N10NM5CGSCATMA1

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$3.528

$2.311

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$1.391

$1.309

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IST026N10NM5AUMA1
Infineon Technologies
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IST026N10NM5AUMA1

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$4.427

$2.955

$2.106

$1.922

$1.789

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$1.554

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Enhancement

Reel, Cut Tape

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IQE065N10NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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$3.395

$2.188

$1.554

$1.278

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IST019N08NM5AUMA1
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$2.076

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IQE046N08LM5ATMA1
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Reel, Cut Tape

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IQD016N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
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$3.027

$2.618

$2.526

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$2.444

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQD020N10NM5CGATMA1
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$2.495

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$2.413

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TTFN-9

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1 Channel

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333 W

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OptiMOS

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IQE046N08LM5CGATMA1
Infineon Technologies
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IQE046N08LM5CGATMA1

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$3.732

$2.423

$1.708

$1.391

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$1.288

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TTFN-9

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99 A

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100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.814
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IQE050N08NM5CGSCATMA1

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$3.814

$2.495

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5SCATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
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Infineon Technologies

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$3.926

$2.566

$1.800

$1.472

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80 V

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3.8 V

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Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

ISC025N08NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.632
2.032En existencias
5.000Se espera el 28-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
ISC025N08NM5LF2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC025N08NM5LF2A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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2.032En existencias

5.000Se espera el 28-05-2026

Cinta cortada

$4.632

$3.067

$2.178

$1.932

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Envase tipo carrete

$1.810

MouseReel Disponible

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1 Channel

80 V

198 A

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

IPP023N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.920
475En existencias
500Se espera el 01-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP023N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP023N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

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475En existencias

500Se espera el 01-06-2026

$5.920

$3.098

$2.822

$2.382

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

120 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

168 nC

- 55 C

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375 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPP083N10N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.791
444En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP083N10N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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444En existencias

$2.791

$1.370

$1.237

$989

$859

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

44 A

8.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

30 nC

- 55 C

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36 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPTC011N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.574
54En existencias
5.400Se espera el 24-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC011N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC011N08NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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54En existencias

5.400Se espera el 24-12-2026

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$6.574

$4.305

$3.180

$2.934

$2.740

Envase tipo carrete

$2.740

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: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

80 V

408 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

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3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPT013N08NM5LFATMA1
Infineon Technologies
1: $8.037
2.467En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT013N08NM5LFATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT013N08NM5LFAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

2.467En existencias

Cinta cortada

$8.037

$5.480

$4.151

$4.049

$3.977

Envase tipo carrete

$3.783

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

333 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4.1 V

158 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP034N08N5XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.783
615En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP034N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP034N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

615En existencias

$3.783

$1.912

$1.728

$1.493

$1.309

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.528
266En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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266En existencias

Cinta cortada

$3.528

$2.290

$1.626

$1.319

$1.299

Envase tipo carrete

$1.207

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.865
104En existencias
6.000Se espera el 10-12-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

104En existencias

6.000Se espera el 10-12-2026

Cinta cortada

$3.865

$2.515

$1.759

$1.462

Ver

Envase tipo carrete

$1.299

Min.: 1
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: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

13 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

43 nC

- 55 C

+ 175 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE050N08NM5CGATMA1
Infineon Technologies
1: $3.354
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IQE050N08NM5CGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE050N08NM5CGAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

102En existencias

Cinta cortada

$3.354

$2.188

$1.523

$1.278

Ver

Envase tipo carrete

$1.166

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

80 V

101 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

35 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

ISG0616N10NM5HSCATMA1
Infineon Technologies
1: $5.327
9.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ISG0616N10NM5HSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISG0616N10NM5HSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

9.000En pedido

Cinta cortada

$5.327

$3.865

$2.771

$2.699

$2.556

Envase tipo carrete

$2.526

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 3.000

SMD/SMT

TFN-10

N-Channel

2 Channel

100 V

139 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

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- 55 C

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167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5CGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.642
12.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5CGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5CGSC

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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12.000En pedido

Cinta cortada

$4.642

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$1.840

Envase tipo carrete

$1.718

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPTC014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $6.339
3.594Se espera el 02-07-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPTC014N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPTC014N10NM5ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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3.594Se espera el 02-07-2026

Cinta cortada

$6.339

$4.233

$3.057

$2.802

$2.607

Envase tipo carrete

$2.607

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1.800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

100 V

365 A

1.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

3.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IQE046N08LM5SCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.824
5.979Se espera el 11-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE046N08LM5SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE046N08LM5SCAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Hoja de datos

5.979Se espera el 11-06-2026

Cinta cortada

$3.824

$2.505

$1.851

$1.595

Ver

Envase tipo carrete

$1.401

Min.: 1
Mult.: 1

: 6.000

SMD/SMT

WHSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

99 A

- 20 V, 20 V

2.3 V

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IQE065N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.487
10.000Se espera el 11-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
IQE065N10NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE065N10NM5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

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Hoja de datos

10.000Se espera el 11-06-2026

Cinta cortada

$3.487

$2.270

$1.605

$1.299

Ver

Envase tipo carrete

$1.196

Min.: 1
Mult.: 1

: 5.000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

100 V

85 A

6.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies
500: $1.810
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP027N08N5XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP027N08N5XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

$1.810

Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.7 mOhms

- 20 V, 20 V

3.8 V

99 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

Tube

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