Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

5 transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de potencia OptiMOS™

Infineon OptiMOS™ 5 Power MOSFETs are designed to meet requirements for improved system efficiency while reducing system costs. These devices feature lower RDS(on) and Figure of Merit (RDS(on) x Qg) compared to alternative devices. They are designed using a new silicon technology, optimized to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements. Typical applications for these MOSFETs include server, datacom and client applications in the computing industry. They can also be used in synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) as well as motor control, solar micro inverters and fast switching DC/DC converter applications.
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.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.694 5.979En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.979En existencias	Cinta cortada $4.694 $2.381 $2.165 $1.800 $1.698 Envase tipo carrete $1.698	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.691 1.553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.553En existencias	Cinta cortada $3.691 $1.834 $1.641 $1.367 Ver Envase tipo carrete $1.219 $1.299 $1.219 $1.219 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.976 4.762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.762En existencias	Cinta cortada $3.976 $1.994 $1.789 $1.470 Ver Envase tipo carrete $1.356 $1.435 $1.356 $1.356	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $6.574 2.767En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST011N06NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.767En existencias	Cinta cortada $6.574 $3.441 $3.144 $2.825 $2.666 Envase tipo carrete $2.666	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	399 A	1.1 Ohms	20 V	3.3 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V IPT063N15N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.690 1.661En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT063N15N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT063N15N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.661En existencias	Cinta cortada $7.690 $4.090 $3.942 $3.589 $3.293 Envase tipo carrete $3.293 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	150 V	122 A	6.3 mOhms	20 V	4.6 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.143 3.392En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC007N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-TC007N06NM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.392En existencias	Cinta cortada $7.143 $3.748 $3.418 $3.087 $2.757 Envase tipo carrete $2.757	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	750 uOhms	20 V	2.1 V	209 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE008N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.247 2.082En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE008N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE008N03LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.082En existencias	Cinta cortada $3.247 $1.606 $1.447 $1.162 Ver Envase tipo carrete $1.013 $1.116 $1.096 $1.013	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	30 V	253 A	850 uOhms	16 V	2 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	89 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.076 3.933En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.933En existencias	Cinta cortada $3.076 $1.515 $1.390 $1.139 Ver Envase tipo carrete $957 $1.052 $995 $957 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $4.762 4.318En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.318En existencias	Cinta cortada $4.762 $2.427 $2.199 $1.834 $1.732 Envase tipo carrete $1.732	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	13 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE050N08NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.637 4.266En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE050N08NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE050N08NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.266En existencias	Cinta cortada $4.637 $2.358 $2.130 $1.846 Envase tipo carrete $1.595 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	80 V	101 A	5 mOhms	20 V	3.8 V	35 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IST026N10NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $6.619 1.401En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST026N10NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST026N10NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.401En existencias	Cinta cortada $6.619 $3.475 $3.167 $2.860 $2.700 Envase tipo carrete $2.700	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	248 A	2.6 mOhms	20 V	3.8 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQE065N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.329 5.095En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE065N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE065N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.095En existencias	Cinta cortada $4.329 $2.825 $2.062 $1.732 Ver Envase tipo carrete $1.504 $1.606 $1.504 $1.504	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	100 V	85 A	6.5 mOhms	20 V	3.8 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V IQE046N08LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $4.329 2.738En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE046N08LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE046N08LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.738En existencias	Cinta cortada $4.329 $2.187 $1.971 $1.618 $1.515 Envase tipo carrete $1.515	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	80 V	99 A	4.6 mOhms	20 V	2.3 V	38 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.905 3.984En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante IQE012N03LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE012N03LM5CGAT Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 low-voltage power MOSFET 30 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down center-gate package with best-price performance Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.984En existencias	Cinta cortada $2.905 $1.424 $1.276 $1.019 Ver Envase tipo carrete $793 $991 $962 $793	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	30 V	224 A	1.15 mOhms	16 V	2 V	40 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.475 3.523En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC015N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.523En existencias	Cinta cortada $3.475 $1.732 $1.561 $1.253 Ver Envase tipo carrete $1.129 $1.219 $1.196 $1.129	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	259 A	1.5 mOhms	20 V	3.3 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.790 11.754En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11.754En existencias	Cinta cortada $6.790 $4.272 $3.281 $2.974 Envase tipo carrete $2.586	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies 1: $5.981 12.149En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	12.149En existencias	Cinta cortada $5.981 $3.110 $2.825 $2.495 Envase tipo carrete $2.358	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.291 4.019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT009N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.019En existencias	Cinta cortada $7.291 $3.851 $3.520 $3.429 $3.315 Envase tipo carrete $3.065	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	60 V	427 A	1.2 mOhms	20 V	2.8 V	171 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.236 10.047En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5L022ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.047En existencias	Cinta cortada $3.236 $1.606 $1.424 $1.162 Ver Envase tipo carrete $957 $1.098 $1.066 $957 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	170 A	2.2 mOhms	20 V	1.7 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies 1: $8.499 1.331En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP023N10N5XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP023N10N5XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.331En existencias	$8.499 $5.685 $4.568 $4.056 $3.600	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	100 V	120 A	2.3 mOhms	20 V	3.8 V	168 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement		OptiMOS	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V IQD020N10NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $7.257 2.553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQD020N10NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQD020N10NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.553En existencias	Cinta cortada $7.257 $3.839 $3.509 $3.236 $3.133 Envase tipo carrete $3.019	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	100 V	273 A	2.05 mOhms	20 V	3.8 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	333 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V IQE006NE2LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.224 8.499En existencias 9.600Se espera el 30-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IQE006NE2LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE006NE2LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	8.499En existencias 9.600Se espera el 30-11-2026	Cinta cortada $3.224 $2.085 $1.435 $1.151 Envase tipo carrete $1.151 Presupuesto Presupuesto MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	47 A	580 uOhms	16 V	2 V	82 nC	- 55 C	+ 150 C	2.1 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.953 5.248En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.248En existencias	Cinta cortada $3.953 $1.982 $1.789 $1.458 Ver Envase tipo carrete $1.344 $1.435 $1.390 $1.344	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISC015N06NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.774 9.789En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC015N06NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9.789En existencias	Cinta cortada $4.774 $2.495 $2.267 $1.880 Ver Envase tipo carrete $1.527 $1.823 $1.754 $1.527 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	275 A	1.55 mOhms	20 V	3.45 V	90 nC	- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V ISC025N08NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.979 7.414En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC025N08NM5LF2ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC025N08NM5LF2A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7.414En existencias	Cinta cortada $4.979 $2.552 $2.313 $1.948 Envase tipo carrete $1.948 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	198 A	2.55 mOhms	20 V	3.9 V		- 55 C	+ 175 C	217 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel