Resultados: 53
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
630En existencias
10.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 869En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
813En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
218En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
6.319En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
259En existencias
750Se espera el 28-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
558En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
1.664En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.900En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
1.349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Hoja de datos
1.716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Hoja de datos
276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
Hoja de datos
446En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
11En existencias
2.250En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Hoja de datos
120En existencias
480Se espera el 11-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC