CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.

Resultados: 53
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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728En existencias
Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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771En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 851En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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183En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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1.940En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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256En existencias
Min.: 1
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: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 158 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
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416En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 34.9 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 18 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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700En existencias
2.250En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
Hoja de datos
929En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
841En existencias
2.000Se espera el 30-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
2.302En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
900En existencias
2.000Se espera el 16-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2
Hoja de datos
1.968En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 79 A 33 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V G2
Hoja de datos
1.712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT PG-LHSOF-4 N-Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
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259En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 130 A 13.1 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 112 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
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538En existencias
240En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Hoja de datos
237En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
9.343En existencias
2.000Se espera el 27-07-2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
21En existencias
2.000Se espera el 17-06-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
59En existencias
4.000Se espera el 06-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement