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IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 10819 CLP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMT65R033M2HXUMA

Fabricante N.º:

IMT65R033M2HXUMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

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	$10.819	$10.819
	$8.053	$80.530
	$6.709	$670.900
	$6.014	$3.007.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$5.107	$10.214.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	68 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	41 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	34 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	312 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	4.8 ns
Sensibles a la humedad:	Yes
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	9.1 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	8.8 ns

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFET G2 de 650 V

Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC ™ de Infineon aprovechan las capacidades de rendimiento del carburo de silicio al permitir una menor pérdida de energía, lo que se traduce en una mayor eficiencia durante la conversión de potencia.Los MOSFET G2 de 650 V CoolSiC de Infineon ofrecen ventajas para varias aplicaciones de semiconductores de potencia como sistemas fotovoltaicos, almacenamiento de energía, carga de vehículos eléctricos CC, controladores de motores y fuentes de alimentación industriales. Una estación de carga rápida CC para vehículos eléctricos equipada con CoolSiC G2 reduce la pérdida de energía hasta un 10 % en comparación con las generaciones anteriores, a la vez que permite una mayor capacidad de carga sin afectar los factores de forma.