Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

ROHM Semiconductor N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs with low on-resistance dissipate power up to 142W. The lineup is offered in small, high-powered packages that greatly reduce the mounting area. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified, RoHS compliant, and halogen free. Ideal applications for ROHM N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs include advanced driver assistance systems (ADAS), body, lighting, and infotainment.

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Resultados: 33

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P05BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $3.660
1.291En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P05BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P05BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -50A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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1.291En existencias

Cinta cortada

$3.660

$2.382

$1.667

$1.350

$1.329

Envase tipo carrete

$1.247

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

50 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $1.932
2.370En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3P01BATTL1

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755-RD3P01BATTL1

ROHM Semiconductor

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2.370En existencias

Cinta cortada

$1.932

$1.237

$826

$652

Envase tipo carrete

$536

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

10 A

240 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

19.4 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3G07BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $3.170
11.221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
RD3G07BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G07BATTL1

ROHM Semiconductor

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11.221En existencias

Cinta cortada

$3.170

$2.055

$1.431

$1.299

$1.227

Envase tipo carrete

$1.125

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

40 V

70 A

7.1 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -10A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L01BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $1.728
15.543En existencias

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RD3L01BATTL1

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755-RD3L01BATTL1

ROHM Semiconductor

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15.543En existencias

Cinta cortada

$1.728

$1.104

$736

$581

$531

Envase tipo carrete

$489

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

10 A

84 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

15.2 nC

- 55 C

+ 150 C

26 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L03BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $1.984
18.590En existencias

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RD3L03BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L03BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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18.590En existencias

Cinta cortada

$1.984

$1.258

$903

$718

$666

Envase tipo carrete

$633

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

35 A

41 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3L07BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $3.364
11.773En existencias
12.500Se espera el 31-08-2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3L07BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3L07BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -60V(Vdss), -70A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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11.773En existencias

12.500Se espera el 31-08-2026

Cinta cortada

$3.364

$2.178

$1.523

$1.237

$1.227

Envase tipo carrete

$1.125

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

60 V

70 A

12.7 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 150 C

101 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

RD3G08BBJHRBTL
ROHM Semiconductor
1: $3.763
2.500Se espera el 20-08-2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
RD3G08BBJHRBTL

N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08BBJHRBTL

Nuevo producto

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive

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2.500Se espera el 20-08-2026

Cinta cortada

$3.763

$2.454

$1.718

$1.401

$1.391

Envase tipo carrete

$1.299

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

4.9 mOhms

- 20 V, 5 V

2.5 V

145 nC

- 55 C

+ 175 C

142 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

RD3P02BATTL1
ROHM Semiconductor
1: $2.331
2.467Se espera el 16-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
RD3P02BATTL1

N.º de artículo de Mouser
755-RD3P02BATTL1

ROHM Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

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2.467Se espera el 16-06-2026

Cinta cortada

$2.331

$1.493

$1.012

$807

$740

Envase tipo carrete

$671

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

TO-252-3

P-Channel

1 Channel

100 V

20 A

116 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

N-Channel Automotive Grade Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

2 mOhms
3.1 mOhms
4.4 mOhms
4.6 mOhms
4.9 mOhms
5.3 mOhms
6.2 mOhms
7.1 mOhms
7.6 mOhms
8.5 mOhms
9.6 mOhms
10.7 mOhms
12.7 mOhms
13.5 mOhms
14.6 mOhms
14.7 mOhms
15.8 mOhms
17.5 mOhms
19.1 mOhms
24 mOhms

7.3 nC
8.5 nC
13 nC
13.6 nC
15 nC
15.2 nC
17.3 nC
19 nC
19.3 nC
19.4 nC
21 nC
22 nC
27.6 nC
32 nC
37 nC
38 nC
39 nC
41 nC
46 nC
47 nC