Resultados: 33
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 40V 10A
Hoja de datos
21.872En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 39 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 19.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -40V(Vdss), -35A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
Hoja de datos
1.386En existencias
2.500Se espera el 10-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 40 V 35 A 19.1 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 38 nC - 55 C + 150 C 56 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.487En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 30 V 78 A 8.5 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 52 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.272En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.150En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 60 V 80 A 10.7 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 5.3 mOhms 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 175 C 96 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 7.6 mOhms 20 V 4 V 22 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -60A TO-252, Power MOSFET
Hoja de datos
2.041En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 60 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 80V 105A
Hoja de datos
3.182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 80 V 105 A 4.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.705En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 59 A 15.8 mOhms 2.5 V 17.3 nC - 55 C + 175 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.481En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 6.2 mOhms 20 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 142 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive AEC-Q101
Hoja de datos
3.375En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 17.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.5 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, DFN2020Y7LSAA, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 80V 235A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
780En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 80 V 235 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Nch 40V 27A Power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body.
Hoja de datos
3.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8AG N-Channel 1 Channel 40 V 27 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8AG N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 14.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8AG N-Channel 1 Channel 60 V 27 A 14.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 27A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -40V -40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
2.442En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 24 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 27.6 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -48A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
1.388En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 60 V 48 A 30 mOhms - 20 V, 5 V 2.5 V 48 nC - 55 C + 175 C 77 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
867En existencias
2.500Se espera el 16-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 60 V 40 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 13 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
Hoja de datos
2.490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 80 V 10 A 163 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 21 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 130A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 130 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 100A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
262En existencias
800Se espera el 15-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive
Hoja de datos
3.090En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT HSMT-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 7.3 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape