U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V 1.953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 90 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 5.1 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A 89En existencias
3.000Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 300 mV 10.4 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-2A 6.758En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET 15.826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 3.332En existencias
21.000Se espera el 22-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 19.559En existencias
39.000Se espera el 29-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 9.232En existencias
60.000Se espera el 22-05-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW 8.069En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 94 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF 555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 250 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -6A -20V 1650pF 1.042En existencias
3.000Se espera el 07-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 54 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4.0A, RDS(ON)=0.0427Ohm @ 4.5V, in UF6 package 3.473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm 935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT WCSP6C-6 P-Channel 2 Channel 20 V 5 A 26 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 9.8 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID=-6A VDSS=-20V 12.896En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT TSOP-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 32.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch+Pch ID:4A 3.582En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms, 157 mOhms - 12 V, - 8 V, 8 V, 12 V 400 mV, 500 mV 3.6 nC, 6.74 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVII-H / U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1 5.885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 100 mA 5.2 Ohms - 10 V, 10 V 1.1 V - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 3.697En existencias
12.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET 2 in 1 Nch ID: 4A 293En existencias
6.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 2 Channel 20 V 4 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS 2.958En existencias
3.000Se espera el 28-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 33.8 mOhm 10V 10uA 2.0 to 3.0V 1.231En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 10 A 33.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 19 nC - 55 C + 175 C 27 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1770pF 41W 36nC -15A -60V 1.751En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 15 A 63 mOhms 36 nC 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel


Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.326En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 100 V 15 A 130 mOhms - 20 V, 10 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -20A -40V 41W 1850pF 0.0222 281En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 20 A 22.2 mOhms 41 W AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -40V 90W 6510pF 0.0063 1.126En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 6.3 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 125 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 443En existencias
2.000Se espera el 16-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
108.000Se espera el 08-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel