U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V 3.935En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W 2.409En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 40 V 9 A 18 mOhms 1.9 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138 10.952En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW 16.089En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 94 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 14.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218 5.642En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091 4.315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V 13.950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package 422En existencias
3.000Se espera el 06-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UF-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 22.5 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 23.1 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W 3.694En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 28 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 39 nC + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD 9.689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V 16.192En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS 119.315En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET 78.890En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 26.689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN6B-6 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 60.5 mOhms - 8 V, 8 V 1 W U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -60A -60V 100W 7760pF 0.0112 2.513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 60 A 11.2 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 156 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V 50.024En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS 21.992En existencias
48.000Se espera el 30-07-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF 46.445En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 95.236En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V 61.971En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 96.700En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET 44.947En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 8.000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 390 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 1.6 nC + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V 25.093En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 0.8A 20VDSS 55pF 22.003En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT SOT-416-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 235 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A 10.844En existencias
20.880Se espera el 06-04-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel