Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

TJ15P04M3,RQ(S
Toshiba
1: $1.769
3.683En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ15P04M3,RQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15P04M3RQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

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3.683En existencias

Cinta cortada

$1.769

$1.125

$748

$589

$538

Envase tipo carrete

$458

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

15 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

29 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

TPC8125,LQ(S
Toshiba
1: $1.319
5.718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8125,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8125LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

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5.718En existencias

Cinta cortada

$1.319

$825

$546

$430

Envase tipo carrete

$355

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MouseReel Disponible

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: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

17 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.321
5.547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ30S06M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ30S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218

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Cinta cortada

$2.321

$1.493

$1.013

$809

$772

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$732

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

30 A

21.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $2.464
4.315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ40S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ40S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091

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Cinta cortada

$2.464

$1.585

$1.084

$857

$798

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$724

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: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

40 A

9.1 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8133,LQ(S
Toshiba
1: $2.168
2.139En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8133,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8133LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -9A 1.9W

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Cinta cortada

$2.168

$1.391

$940

$747

Envase tipo carrete

$600

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

9 A

18 mOhms

1.9 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J424TU,LF
Toshiba
1: $634
106En existencias
3.000Se espera el 29-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J424TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J424TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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3.000Se espera el 29-05-2026

Cinta cortada

$634

$390

$255

$180

$162

Envase tipo carrete

$134

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

22.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

SSM6N55NU,LF
Toshiba
1: $644
9.594En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6N55NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6N55NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD

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$644

$396

$253

$191

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$145

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: 3.000

N-Channel

2 Channel

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: $1.840
2.537En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

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$1.840

$1.176

$786

$622

$568

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$531

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Mult.: 1

: 2.000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

SSM3J134TU,LF
Toshiba
1: $583
13.950En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J134TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J134TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V

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Cinta cortada

$583

$361

$230

$173

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$126

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Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

4.7 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

TPC8129,LQ(S
Toshiba
1: $1.033
3.649En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TPC8129,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8129LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W

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3.649En existencias

Cinta cortada

$1.033

$646

$421

$324

Envase tipo carrete

$249

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Mult.: 1

: 2.500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

9 A

28 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

39 nC

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

SSM3K335R,LF
Toshiba
1: $511
16.750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K335R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K335RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF

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16.750En existencias

Cinta cortada

$511

$313

$198

$149

Envase tipo carrete

$98,2

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-23-3

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

56 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

2.7 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVII-H

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

SSM3J130TU,LF
Toshiba
1: $777
16.192En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J130TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J130TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V

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Cinta cortada

$777

$483

$311

$236

Envase tipo carrete

$181

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

4.4 A

25.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1 V

24.8 nC

- 55 C

+ 150 C

800 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

SSM3J372R,LF
Toshiba
1: $399
55.574En existencias
75.000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J372R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J372RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-30V Vgss:-12/+6V Id:-6A

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55.574En existencias

75.000En pedido

Cinta cortada

$399

$244

$154

$115

Envase tipo carrete

$84,9

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

30 V

6 A

42 mOhms

- 12 V, 6 V

1.2 V

8.2 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

SSM6J501NU,LF
Toshiba
1: $624
20.290En existencias
78.000Se espera el 29-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J501NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J501NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V

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20.290En existencias

78.000Se espera el 29-05-2026

Cinta cortada

$624

$388

$248

$188

Envase tipo carrete

$138

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

20 V

10 A

15.3 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

29.9 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

SSM6J502NU,LF
Toshiba
1: $654
24.689En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J502NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J502NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS

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Cinta cortada

$654

$407

$261

$197

Envase tipo carrete

$149

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

UDFN6B-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

60.5 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

SSM3J168F,LF
Toshiba
1: $552
36.719En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J168F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J168FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V

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36.719En existencias

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$552

$337

$215

$162

Envase tipo carrete

$121

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-346-3

P-Channel

1 Channel

60 V

400 mA

1.3 Ohms

- 20 V, 10 V

2 V

3 nC

- 55 C

+ 150 C

1.2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

SSM3J328R,LF
Toshiba
1: $460
38.950En existencias
66.000Se espera el 08-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J328R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J328RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS

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38.950En existencias

66.000Se espera el 08-06-2026

Cinta cortada

$460

$284

$180

$134

Envase tipo carrete

$93

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

12.8 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

SSM3J332R,LF
Toshiba
1: $409
104.586En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J332R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J332RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS

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104.586En existencias

Cinta cortada

$409

$249

$156

$117

Envase tipo carrete

$85,9

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

SSM3J334R,LF
Toshiba
1: $409
45.494En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J334R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J334RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF

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45.494En existencias

Cinta cortada

$409

$249

$156

$117

Envase tipo carrete

$85,9

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

P-Channel

1 Channel

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

SSM3J351R,LF
Toshiba
1: $603
85.831En existencias
126.000Se espera el 08-06-2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J351R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J351RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS

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126.000Se espera el 08-06-2026

Cinta cortada

$603

$373

$238

$179

Envase tipo carrete

$135

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3.000

SMD/SMT

SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

3.5 A

164 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

15.1 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

SSM3J356R,LF
Toshiba
1: $460
44.801En existencias
42.000Se espera el 22-05-2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J356R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J356RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V

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Comentarios de Producto

44.801En existencias

42.000Se espera el 22-05-2026

Cinta cortada

$460

$279

$176

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SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2 A

300 mOhms

- 20 V, 10 V

800 mV

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET

SSM3J378R,LXHF
Toshiba
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SSM3J378R,LXHF

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SOT-23F-3

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

29.8 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

SSM3J56MFV,L3F
Toshiba
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SSM3J56MFV,L3F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET

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SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

800 mA

390 mOhms

- 8 V, 8 V

300 mV

1.6 nC

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

SSM6J507NU,LF
Toshiba
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SSM6J507NU,LF

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757-SSM6J507NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A

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SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

20 mOhms

- 25 V, 20 V

1 V

13.6 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Toshiba
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ

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757-TJ50S06M3LT6L1NQ

Toshiba

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

50 A

13.8 mOhms

- 20 V, 10 V

3 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

90 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W