Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403BEEP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

4.8 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

150 nC

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ433EP-T1_GE3
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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

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108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ2361ES-T1_GE3
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SMD/SMT

SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

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+ 175 C

2 W

Enhancement

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TrenchFET

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SQJ479EP-T1_GE3
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P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

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P-Channel

1 Channel

100 V

93 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60V Automotive MOSFET

SQM110P06-8M9L_GE3
Vishay / Siliconix
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60 V

110 A

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- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

SQM120P10_10M1LGE3
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SMD/SMT

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P-Channel

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100 V

120 A

8.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
13.5 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC