Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
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SQ1421EDH-T1_GE3
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SQS481ENW-T1_GE3
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SQD19P06-60L_T4GE3
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SQ4005EY-T1_GE3
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SQJA37EP-T1_GE3
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SQ3419AEEV-T1_GE3
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1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS840CENW-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-1212-8W-8

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12 A

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2.5 V

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33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
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40 V

50 A

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2 V

76 nC

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+ 175 C

62 W

Enhancement

AEC-Q101

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SQJ459EP-T1_GE3
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18.000Se espera el 30-06-2026

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQ3427AEEV-T1_GE3
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SQ3427AEEV-T1_GE3

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TSOP-6

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5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3427EV-T1_GE3

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

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5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ423EP-T1_GE3

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P-Channel

1 Channel

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55 A

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SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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3.75 A

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- 12 V, 12 V

1 V

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SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD40081EL_GE3

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

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50 A

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SQJ409EP-T1_GE3
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2.5 V

95 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

80 V

16 A

80 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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SQA401EEJ-T1_GE3
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SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.68 A

113 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ403BEEP-T1_GE3
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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

164 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC