Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4483EY-T1_GE3
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ407EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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P-Channel

1 Channel

30 V

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- 20 V, 20 V

2 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V (D-S) -/+20V AEC-Q101 Qualified

SQ1421EDH-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3427EV-T1_GE3
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Enhancement

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TrenchFET

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SQ4153EY-T1_GE3
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SOIC-8

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900 mV

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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQS481ENW-T1_GE3
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P-Channel

1 Channel

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4.7 A

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- 20 V, 20 V

3 V

8 nC

- 55 C

+ 175 C

62.5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQD19P06-60L_T4GE3
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SQD19P06-60L_T4GE3

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1 Channel

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20 A

55 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ403EP-T1_GE3
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SQJ403EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

109 nC

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQ3427AEEV-T1_GE3

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78-SQ3427AEEV-T1_GE3

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

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SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ3419AEEV-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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TSOP-6

P-Channel

1 Channel

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6.9 A

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1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ433EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ433EP-T1_GE3

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

75 A

6.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

108 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJA37EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJA37EP-T1_GE3

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78-SQJA37EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

30 V

30 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

100 nC

- 55 C

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45 W

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AEC-Q101

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified

SQJ411EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ411EP-T1_GE3

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78-SQJ411EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

12 V

60 A

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- 8 V, 8 V

1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS840CENW-T1_GE3

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78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

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SMD/SMT

PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ423EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.859
84.338En existencias

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SQJ423EP-T1_GE3

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78-SQJ423EP-T1_GE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

40 V

55 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

80 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.557
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ457EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQM120P10_10M1LGE3
Vishay Semiconductors
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SQM120P10_10M1LGE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P1010M1LGE3

Vishay Semiconductors

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -100Vds 20Vgs

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120 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

SQM40031EL_GE3
Vishay Semiconductors
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SQM40031EL_GE3

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78-SQM40031EL_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40V Vds AEC-Q101 Qualified

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D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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7.020En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SQJ415EP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ415EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

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$840

$828

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

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14 mOhms

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2.5 V

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+ 175 C

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Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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9.000Se espera el 18-02-2026

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SQJ459EP-T1_GE3

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78-SQJ459EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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9.000Se espera el 18-02-2026

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$2.038

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$623

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ479EP-T1_GE3
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P-Channel

1 Channel

80 V

32 A

33 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

90 nC

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+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

93 A

15.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

350 nC

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AEC-Q101

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

110 A

7.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

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AEC-Q101

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SOT-23-3

P-Channel

1 Channel

60 V

2.8 A

177 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

2 W

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AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3419EV-T1_GE3
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

40 V

6.9 A

48 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

7.5 nC

- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1.6 A
2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
12 A
15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC