Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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363En existencias
1.200En pedido
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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173En existencias
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: 200

Si N-Channel 650 V 64 A 35 mOhms AQG 324 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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489En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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580En existencias
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Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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16.971En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 130 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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38.160En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel 1 Channel 100 V 35 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
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4.499En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41.533En existencias
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Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 2 Channel 60 V 33 A 23 mOhms, 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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2.439En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 22.5 A 61 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 189 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2.368En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 340 mOhms - 10 V, 10 V 3 V 17.8 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
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840En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
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2.383En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 440 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
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1.928En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 142 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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1.428En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
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1.435En existencias
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: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40V Pwr Mosfet
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1.695En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in
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1.792En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a D2PAK Package
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1.585En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 300 V 53 A 37 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 95 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
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4.041En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 380 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 109 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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7.700En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 620 V 2.7 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade P-channel -40 V, 12 mOhm typ., -50 A STripFET F6 Power MOSFET i
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2.432En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 50 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 65.5 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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3.465En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3 A 1.8 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2.652En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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4.759En existencias
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Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 525 V 6 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 33 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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2.953En existencias
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: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel