STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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SiC MOSFETS Through Hole STPAK-4 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
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Máx.: 10

IGBTs Through Hole CDIPB-26L
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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409En existencias
1.200En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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2.368En existencias
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: 2.500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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1.332En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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41.498En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
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1.533En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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173En existencias
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: 200

MOSFETs Si N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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459En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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536En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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3.639En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerFLAT (5x5) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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5.857En existencias
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RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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2.439En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel

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11.058En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
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760En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount ISOTOP
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
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38.107En existencias
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: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
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3.153En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
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: 1.000

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600Se espera el 27-08-2027
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
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2.309En existencias
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: 3.000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel