MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
SCTHC250N120G3AG
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MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package
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SiC MOSFETS
Through Hole
STPAK-4
N-Channel
IGBTs SLLIMM compact series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
STGI15C60S
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IGBTs
Through Hole
CDIPB-26L
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
STWA60N028T
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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MOSFETs
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TO-247-3
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PD54008L-E
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
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RF MOSFET Transistors
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
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RF MOSFET Transistors
Si
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PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
STL57N65M5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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MOSFETs
Si
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PowerFLAT-8x8-5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
SH68N65DM6AG
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511-SH68N65DM6AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
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MOSFETs
Si
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N023M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
STW65N045M9-4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
STD80N340K6
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
360°
BU508AF
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BU508AF
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
ISOWATT-218FX-3
NPN
Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
STE145N65M5
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511-STE145N65M5
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Módulos MOSFET N-channel 650 V, 0.012 Ohm typ., 143 A MDmesh M5 Power MOSFET in an ISOTOP packa
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MOSFET Modules
Si
Screw Mount
ISOTOP
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
STL8N10F7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 17 mOhm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3
38.107 En existencias
1
$1.609
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$984
100
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$526
1.000
$503
3.000
$503
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-3.3x3.3-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FD
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4.453 En existencias
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511-STP20NM60FD
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
4.453 En existencias
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$4.827
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008-E
STMicroelectronics
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1.533 En existencias
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511-PD54008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
1.533 En existencias
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
STGIK10M120T
STMicroelectronics
1:
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N.º de artículo de Mouser
511-STGIK10M120T
STMicroelectronics
Módulos IGBT SLLIMM high power IPM, 3-phase inverter, 10 A, 1200 V short-circuit rugged IGBT
63 En existencias
1
$47.368
10
$31.046
72
$31.035
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Detalles
IGBT Modules
Si
Through Hole
SDIPHP-30
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
PD55008-E
STMicroelectronics
1:
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1.332 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD55008-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF POWER TRANS
1.332 En existencias
Embalaje alternativo
1
$18.415
10
$12.252
100
$11.558
400
$11.548
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
1:
$1.599
41.498 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STL36DN6F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
41.498 En existencias
1
$1.599
10
$753
100
$670
500
$525
3.000
$411
6.000
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1.000
$524
6.000
$399
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Carrete :
3.000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
1:
$3.586
2.383 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM2AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
2.383 En existencias
1
$3.586
10
$2.324
100
$1.609
500
$1.346
1.000
$1.273
2.500
$1.167
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Carrete :
2.500
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
Transistores Darlington DARLINGTON TRAN
BD677
STMicroelectronics
1:
$1.052
15.421 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BD677
N.º de artículo de Mouser
511-BD677
STMicroelectronics
Transistores Darlington DARLINGTON TRAN
15.421 En existencias
1
$1.052
10
$751
100
$467
500
$323
1.000
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1.000
$271
2.000
$175
4.000
$162
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
Through Hole
SOT-32
NPN
Transistores Darlington PNP Power Darlington
BDW94CFP
STMicroelectronics
1:
$2.135
4.598 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-BDW94CFP
STMicroelectronics
Transistores Darlington PNP Power Darlington
4.598 En existencias
1
$2.135
10
$1.024
100
$808
500
$674
1.000
Ver
1.000
$589
2.000
$554
10.000
$523
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Darlington Transistors
Through Hole
TO-220-3 FP
PNP
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
+1 imagen
BUTW92
STMicroelectronics
1:
$10.790
1.250 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
BUTW92
N.º de artículo de Mouser
511-BUTW92
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
1.250 En existencias
1
$10.790
10
$7.646
100
$7.351
600
$7.341
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Min.: 1
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
Through Hole
TO-247-3
NPN
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
PD57018S-E
STMicroelectronics
1:
$34.254
498 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-PD57018S-E
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
498 En existencias
Embalaje alternativo
1
$34.254
10
$25.135
100
$23.495
400
$23.085
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Min.: 1
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-2
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
STB11NM80T4
STMicroelectronics
1:
$9.150
1.402 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB11NM80
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
1.402 En existencias
1
$9.150
10
$4.974
100
$4.575
500
$4.512
1.000
$4.270
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
STB30N80K5
STMicroelectronics
1:
$8.950
1.094 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-STB30N80K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.15 Ohm typ., 24 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
1.094 En existencias
1
$8.950
10
$4.859
100
$4.470
500
$4.386
1.000
$4.144
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
1.000
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel