Automotive Brushless DC (BLDC) Motor Applications

Diodes Incorporated Automotive Brushless DC (BLDC) Motors offer improved performance, longer lifetime, reduced noise, and greater ease of use when compared to equivalent mechanical solutions. MOSFETs within the BLDC Motor Systems are typically configured in a three-phase bridge arrangement to drive the DC motor. The MOSFETs must be capable of handling start-up and stalled motor currents of up to six times the continuous current rating of the motor. The Diodes Incorporated BLDC Motors are extensively used in automotive applications such as fuel pumps, water pumps, and Anti-Lock Braking Systems (ABS), and provide additional torque for power steering systems.

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Resultados: 88
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 40Vrrm 1A SBR 0.425Vf 50uA
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7.971En existencias
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Máx.: 690
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 3.0A Schotty Rect 40Vrrm 0.5Vr 0.5mA
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16.949En existencias
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Máx.: 600
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS
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18.292En existencias
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Máx.: 480
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 20A TrechSBR 50Vrrm 20A 0.5Vf 0.5mA
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10.114En existencias
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Máx.: 160
: 2.500
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 7A Schottky 60Vrrm 275A 0.62Vf 1050pF
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5En existencias
80.000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 5.000
: 5.000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
Hoja de datos
87.521En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 2.500
: 2.500

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
8.000En existencias
19.000Se espera el 14-04-2027
Min.: 1
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Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
7.445En existencias
12.000Se espera el 19-07-2027
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: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 1.0A SBR 40Vrrm 28Vr 0.5Vf 0.5mA 30A
Hoja de datos
35.517En existencias
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Máx.: 5.000
: 5.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky Schottky Rectifier
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28.876En existencias
27.000Se espera el 23-07-2027
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A 100V Schottky 71Vr 40Ifsm 0.86Vf
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21.356En existencias
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Máx.: 350
: 3.000
Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 2.0A Schottky Rec 40vF 0.50V 0.1mA
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7.403En existencias
9.000Se espera el 09-07-2027
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Máx.: 660
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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136.741En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
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19.203En existencias
15.000Se espera el 05-02-2027
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Máx.: 690
: 3.000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Ch Enh FET 250mOhm -10V -2.3A
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9.256En existencias
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Máx.: 270
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: -30V
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21.765En existencias
51.000Se espera el 23-11-2026
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS:
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3.327En existencias
2.500Se espera el 21-04-2027
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Máx.: 180
: 2.500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -40V 11mOhm 25Vgss 1.45W -10.1A
Hoja de datos
2.895En existencias
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Máx.: 160
: 2.500

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 200V SBR 10A 180Ifsm 0.88Vf 100uA
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7.533En existencias
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Min.: 1
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Máx.: 170
: 5.000
Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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1.768En existencias
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Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa HV Hall Effect Latch 3 to 28V 8kV 3mA
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965En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual N-Ch Enh 7.5Ohm 5V Vgs 0.23A
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2.218En existencias
303.000En pedido
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Min.: 1
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Máx.: 6.000
: 3.000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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5.377En existencias
6.000Se espera el 30-07-2027
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Min.: 1
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Máx.: 3.000
: 3.000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
Hoja de datos
393En existencias
36.000Se espera el 31-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Diodes Incorporated Sensores magnéticos / de efecto Hall montados en placa Hall Unipolar Switch
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100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1