Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
VS-SC200FA120
Vishay
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Diodos Schottky de SiC SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 200 A
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
DN2625DK6-G
Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
NSVT5551DW1T1G
onsemi
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Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN MULTI-CHIP
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
MBR1060DC-AU_R2_006A1
Panjit
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Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies
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Módulos IGBT 1700 V, 200 A dual IGBT module
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Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
DD600N16KXPSA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Rectificadores THYR / DIODE MODULE DK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
STL36DN6F7
STMicroelectronics
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
DMG1016V-7
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563
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Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
SCS240KE2GC11
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Barrier Diode, 1200V, 40A, 2nd Gen
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
SQJQ910EL-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
FDMS3669S
onsemi
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
BAV199T-7-F
Diodes Incorporated
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Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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SQ1539EH-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
SQ3985EV-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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SQ4949EY-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
SQJ570EP-T1_GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
CAB016M12FM3T
Wolfspeed
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39 Se espera el 16-10-2026
N.º de artículo de Mouser 941-CAB016M12FM3T
Wolfspeed
Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 16mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
XP3832CMT
YAGEO XSemi
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N.º de artículo de Mouser 603-XP3832CMT
YAGEO XSemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Asymmetric N ch 30V/30V 55A/85A P
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
FDMS86300DC
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 512-FDMS86300DC
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Semiconductors
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N.º de artículo de Mouser 78-SI4228DY-T1-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 25V Vds 12V Vgs SO-8
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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N.º de artículo de Mouser 78-SQ4961EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
FDC6318P
onsemi
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N.º de artículo de Mouser 512-FDC6318P
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
54.995 En existencias
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