Dual Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET DFN8 60V 17A 39MOHM
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1.050En existencias
1.500Se espera el 29-12-2026
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Máx.: 245
: 1.500

Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT 1700V 450A
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114En existencias
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Panjit Rectificadores y diodos Schottky Automotive 60V, Schottky, 10A
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6.227En existencias
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: 800


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds 20V Vgs SO-8
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73.758En existencias
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: 2.500

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
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20.067En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench
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42.666En existencias
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: 3.000
Diodes Incorporated Diodos de Conmutación de Señal Baja 85V 150mW
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320.216En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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139.340En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
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110.333En existencias
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Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
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31.278En existencias
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: 2.500

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 8A 34W AEC-Q101 Qualified
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77.311En existencias
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: 3.000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
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174En existencias
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: 200

ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
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44En existencias
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: 4

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMD2001D/SOT457/SC-74
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185.286En existencias
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: 3.000

Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PMP4201Y/SOT363/SC-88
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286.220En existencias
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: 10.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
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110.643En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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301.503En existencias
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Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual Nch 40V Vds PowerPAK SO-8L
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71.040En existencias
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: 3.000

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel 75V AEC-Q101 Qualified
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28.792En existencias
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: 3.000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 17A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET: HP8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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4.860En existencias
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: 2.500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
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5.917En existencias
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: 3.000

onsemi Controladores de puerta con aislamiento galvánico 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
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1.240En existencias
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: 1.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperSOT-3
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53.532En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V/-20V N/P
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336.724En existencias
36.000Se espera el 15-12-2026
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Máx.: 3.000
: 3.000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
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57.576En existencias
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Máx.: 3.000
: 3.000