Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
B11G2327N71DYZ
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94-B11G2327N71DYZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
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RF MOSFETs
SMD/SMT
QFN-36
LDMOS
2.3 GHz to 2.7 GHz
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33.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
BLA9H0912L-1200PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-1200P/SOT539/TRAY
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RF MOSFETs
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1.2 kW
+ 225 C
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
BLC2425M10LS500PZ
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94-BLC2425M10LS500PZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC2425M10LS500P/SOT1250/TRAYD
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RF MOSFETs
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SOT1250-1-5
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2.4 GHz to 2.5 GHz
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14.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
BLF647P,112
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF647P/SOT1121/TRAY
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT-1121A-5
LDMOS
1.5 GHz
200 W
+ 225 C
18 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
BLF974PU
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94-BLF974PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF974P/SOT539/TRAY
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RF MOSFETs
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SOT539A-5
LDMOS
700 MHz
500 W
+ 225 C
25.7 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
BLF978PU
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94-BLF978PU
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF978P/SOT539/TRAY
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT539A-5
LDMOS
700 MHz
1.2 kW
+ 225 C
24.5 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
BLL9G1214L-600U
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94-BLL9G1214L-600U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLL9G1214L-600/SOT502/TRAY
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RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502A-3
LDMOS
1.2 GHz to 1.4 GHz
600 W
+ 225 C
19 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
BLP15M9S100GZ
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94-BLP15M9S100GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100G/TO270/REEL
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RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
LDMOS
1.5 GHz
100 W
+ 225 C
16 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
BLP9G0722-20GZ
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94-BLP9G0722-20GZ
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP
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RF MOSFETs
SMD/SMT
SOT1483-1-3
LDMOS
100 MHz to 2.7 GHz
20 W
+ 225 C
19 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
BLS9G2731L-400U
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$401.291
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94-BLS9G2731L-400U
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2731L-400/SOT502/TRAY
106 En existencias
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Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
SOT502A-3
LDMOS
2.7 GHz to 3.1 GHz
400 W
+ 225 C
13 dB
Tray
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF Transistor
BFR 360L3 E6765
Infineon Technologies
1:
$340
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726-BFR360L3E6765
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicon RF Transistor
22.548 En existencias
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Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
TSLP
Bipolar
Si
14 GHz
- 65 C
+ 150 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn Germanium RF Transistor
BFR740L3RHE6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
$900
5.486 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
726-BFR740L3RHE6327X
Fin de vida útil
Infineon Technologies
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN Silicn Germanium RF Transistor
5.486 En existencias
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Carrete :
15.000
Detalles
RF Bipolar Transistors
SMD/SMT
TSLP-3
Bipolar
SiGe
40 GHz
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
MHT1803A
NXP Semiconductors
1:
$43.918
172 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
172 En existencias
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RF MOSFETs
Through Hole
TO-247-3
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 50 MHz
330 W
+ 150 C
28.2 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
NXP Semiconductors
1:
$44.928
564 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
564 En existencias
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Mult.: 1
No
RF MOSFETs
Through Hole
TO-220-3
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 250 MHz
115 W
- 40 C
+ 150 C
21.1 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
AFM907NT1
NXP Semiconductors
1:
$5.215
16.988 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
16.988 En existencias
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Carrete :
1.000
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
DFN-16
LDMOS FET
Si
136 MHz to 941 MHz
8 W
- 40 C
+ 150 C
15 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
1:
$50.023
483 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
483 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
500
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-WB-4
LDMOS FET
Si
136 MHz to 520 MHz
70 W
- 40 C
+ 150 C
18.5 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
$474.272
67 En existencias
100 Se espera el 01-12-2026
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
67 En existencias
100 Se espera el 01-12-2026
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
50
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
NI-1230H-4
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 600 MHz
1.25 kW
+ 150 C
24 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
ART150PEXY
Ampleon
1:
$71.411
14 En existencias
100 Se espera el 21-10-2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-ART150PEXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART150PE/REELDP
14 En existencias
100 Se espera el 21-10-2026
Embalaje alternativo
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2F-1-3
LDMOS
1 MHz to 650 MHz
150 W
+ 225 C
31.2 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
BLP5LA55SGXY
Ampleon
1:
$28.459
29 En existencias
300 Se espera el 05-11-2026
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
94-BLP5LA55SGXY
Nuevo en Mouser
Ampleon
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55SG/TO270/REEL
29 En existencias
300 Se espera el 05-11-2026
Embalaje alternativo
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
100
Detalles
RF MOSFETs
SMD/SMT
TO-270-2G-1-3
LDMOS
520 MHz
55 W
+ 225 C
19.6 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF460AG
Microchip Technology
1:
$62.210
82 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
82 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Through Hole
TO-247-3
Si
65 MHz
150 W
- 55 C
+ 150 C
13 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF461AG
Microchip Technology
1:
$65.021
69 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF461AG
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
69 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Through Hole
TO-247-3
Si
65 MHz
150 W
- 55 C
+ 150 C
13 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
+1 imagen
ARF463AP1G
Microchip Technology
1:
$49.441
165 En existencias
346 En pedido
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
165 En existencias
346 En pedido
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Through Hole
TO-247-3
Si
100 MHz
100 W
- 55 C
+ 150 C
15 dB
Tube
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
ARF475FL
Microchip Technology
1:
$165.143
30 En existencias
N.º de artículo de Mouser
494-ARF475FL
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
30 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
Si
150 MHz
900 W
- 55 C
+ 175 C
15 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
VRF150
Microchip Technology
1:
$75.188
97 En existencias
372 Se espera el 11-01-2027
N.º de artículo del Fabricante
VRF150
N.º de artículo de Mouser
494-VRF150
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
97 En existencias
372 Se espera el 11-01-2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
Si
150 MHz
150 W
- 65 C
+ 150 C
18 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
VRF2933
Microchip Technology
1:
$181.107
26 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
VRF2933
N.º de artículo de Mouser
494-VRF2933
Microchip Technology
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
26 En existencias
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFETs
Screw Mount
Si
30 MHz
300 W
- 65 C
+ 150 C
25 dB