30V & 40V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 30V and 40V Automotive P-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified MOSFETs with an ON resistance of 1Ω and a high junction temperature of 175°C. These P-channel MOSFETs are an ideal choice for automotive design engineers looking to simplify circuitry and enhance performance. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are lead-free and EU RoHS 2.0 compliant. These P-channel MOSFETs are available in various packages, including DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA, TO-263AB, and TO-263-7L. The 30V to 40V P-channel MOSFETs are 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) tested. Typical applications include reverse polarity protection, battery-powered equipment, brushed DC motors, electronic steering, oil/water pumps, and primary 12V systems.

Resultados: 59
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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188.699En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 40 V 3.1 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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1.669En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 5.2 A 36 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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3.960En existencias
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: 5.000

Si 30 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.932En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.881En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 61 A 17.2 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.532En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 77 A 13.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.927En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 40 V 67 A 14.3 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.825En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 31 A 30.7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.888En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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3.000En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 48 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.927En existencias
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Si SMD/SMT TO-252AA-3 P-Channel 1 Channel 30 V 88 A 6.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.996En existencias
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Si AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.273En existencias
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 78 A 7 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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6.006En existencias
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 60 A 9.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.942En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 86 A 6.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.317En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 100 A 6 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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3.149En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 40 V 67 A 9.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.572En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 68 A 8.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.415En existencias
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 45 A 12.5 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.818En existencias
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Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 41 A 15.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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4.882En existencias
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: 5.000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 19.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 30 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.809En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 75 A 8.4 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 54 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.990En existencias
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 47 A 12.1 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 34 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.400En existencias
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 42 A 15 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 32 nC - 55 C + 175 C 21 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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2.814En existencias
Min.: 1
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: 3.000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 P-Channel 1 Channel 30 V 33 A 18.8 mOhms - 25 V, 25 V 2.5 V 22 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape