Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 36

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.832 4.762En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.762En existencias	Cinta cortada $3.832 $1.921 $1.724 $1.416 Ver Envase tipo carrete $1.307 $1.383 $1.307 $1.307	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.557 1.553En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.553En existencias	Cinta cortada $3.557 $1.768 $1.581 $1.318 Ver Envase tipo carrete $1.175 $1.252 $1.175 $1.175 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	21 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	49 nC	- 55 C	+ 175 C	2.5 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC007N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.884 3.450En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC007N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-TC007N06NM5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.450En existencias	Cinta cortada $6.884 $3.612 $3.294 $2.986 $2.657 Envase tipo carrete $2.657	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	750 uOhms	20 V	2.1 V	209 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IST011N06NM5AUMA1 Infineon Technologies 1: $6.335 2.767En existencias	N.º de artículo del Fabricante IST011N06NM5AUMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IST011N06NM5AUMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.767En existencias	Cinta cortada $6.335 $3.316 $3.019 $2.723 $2.569 Envase tipo carrete $2.547	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	399 A	1.1 Ohms	20 V	3.3 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	313 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE030N06NM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $2.964 3.933En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE030N06NM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE030N06NM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.933En existencias	Cinta cortada $2.964 $1.460 $1.340 $1.098 Ver Envase tipo carrete $922 $1.013 $959 $922 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	137 A	3 mOhms	20 V	3.3 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package ISC015N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.349 3.524En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISC015N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC015N06NM5ATMA Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 60 V switching optimized power MOSFET in PQFN 5x6 Drain-Down package Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.524En existencias	Cinta cortada $3.349 $1.669 $1.504 $1.208 Ver Envase tipo carrete $1.088 $1.175 $1.153 $1.088	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	259 A	1.5 mOhms	20 V	3.3 V	70 nC	- 55 C	+ 175 C	188 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT009N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $7.027 4.019En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT009N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT009N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	4.019En existencias	Cinta cortada $7.027 $3.711 $3.393 $3.305 $3.195 Envase tipo carrete $2.953	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	60 V	427 A	1.2 mOhms	20 V	2.8 V	171 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HSCATMA1 Infineon Technologies 1: $6.544 3.144En existencias 9.000Se espera el 29-10-2026	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.144En existencias 9.000Se espera el 29-10-2026	Cinta cortada $6.544 $4.117 $3.162 $2.866 Envase tipo carrete $2.492	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPT008N06NM5LFATMA1 Infineon Technologies 1: $7.455 5.158En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT008N06NM5LFATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT008N06NM5LFAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.158En existencias	Cinta cortada $7.455 $3.964 $3.623 $3.393 $3.195 Envase tipo carrete $3.195 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	454 A	800 uOhms	20 V	3.6 V	185 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.118 10.063En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5L022ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5L022	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 2.2 m? max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.063En existencias	Cinta cortada $3.118 $1.548 $1.372 $1.120 Ver Envase tipo carrete $922 $1.058 $1.028 $922 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	170 A	2.2 mOhms	20 V	1.7 V	77 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5CGATMA1 Infineon Technologies 1: $3.140 2.770En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5CGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.770En existencias	Cinta cortada $3.140 $1.548 $1.394 $1.131 Ver Envase tipo carrete $879 $1.084 $1.047 $879	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TTFN-9	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A	2.2 mOhms	20 V	2.3 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5SCATMA1 Infineon Technologies 1: $3.810 5.258En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5SCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5SCAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.258En existencias	Cinta cortada $3.810 $1.910 $1.724 $1.405 Ver Envase tipo carrete $1.296 $1.383 $1.340 $1.296	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISG0614N06NM5HATMA1 Infineon Technologies 1: $5.764 6.195En existencias 6.000Se espera el 19-10-2026	N.º de artículo del Fabricante ISG0614N06NM5HATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISG0614N06NM5HAT	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	6.195En existencias 6.000Se espera el 19-10-2026	Cinta cortada $5.764 $2.997 $2.723 $2.405 Envase tipo carrete $2.273	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TFN-10	N-Channel	2 Channel	60 V	233 A	1.6 mOhms	20 V	3.3 V	68 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies 1: $2.569 31.602En existencias 30.000Se espera el 26-11-2026	N.º de artículo del Fabricante BSC010N04LSATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC010N04LSATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	31.602En existencias 30.000Se espera el 26-11-2026	Cinta cortada $2.569 $1.252 $1.120 $890 Envase tipo carrete $746 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	1 mOhms	20 V	1.2 V	133 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V BSC022N04LS6ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.702 43.713En existencias 95.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC022N04LS6ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC022N04LS6ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 6 mosfets	Hoja de datos	43.713En existencias 95.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC022N04LS6ATMA1 Existencias: 43.713 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25.000 Se espera el 15-10-2026 70.000 Se espera el 28-01-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $1.702 $800 $713 $558 $507 Envase tipo carrete $422 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 7.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-FL-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.2 mOhms	20 V	1.3 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	79 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB IRFB7545PBF Infineon Technologies 1: $2.437 47.685En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRFB7545PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB7545PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB Obtenga más información sobre Infineon Technologies ir strongirfet	Hoja de datos	47.685En existencias	$2.437 $1.186 $1.053 $838 Ver $763 $756 $750	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	95 A	4.9 mOhms	20 V	3.7 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement		StrongIRFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 IAUC120N06S5N032ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.426 2.005En existencias 5.000Se espera el 02-04-2027	N.º de artículo del Fabricante IAUC120N06S5N032ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC120N06S5N032	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 V, N-Ch, 3.2 m? max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS-5 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.005En existencias 5.000Se espera el 02-04-2027	Cinta cortada $2.426 $1.175 $1.050 $834 Ver Envase tipo carrete $698 $803 $774 $698 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	120 A	3.23 mOhms	20 V	2.8 V	47 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IQE022N06LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies 1: $5.215 87En existencias 6.000Se espera el 11-03-2027	N.º de artículo del Fabricante IQE022N06LM5CGSCATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQE022N06LM5CGSC	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	87En existencias 6.000Se espera el 11-03-2027	Cinta cortada $5.215 $3.041 $2.459 $2.020 Ver Envase tipo carrete $1.823 $1.943 $1.867 $1.823	Min.: 1 Mult.: 1 : 6.000	Si	SMD/SMT	WHSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	151 A		20 V	2.3 V		- 55 C	+ 175 C		Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V IQFH86N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.336 290En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQFH86N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQFH86N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V	Hoja de datos	290En existencias	Cinta cortada $5.336 $2.756 $2.503 $2.163 Envase tipo carrete $2.042	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TSON-12	N-Channel	1 Channel	60 V	394 A	1.47 mOhms	20 V	2.8 V	137 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V IQFH99N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $5.127 300En existencias	N.º de artículo del Fabricante IQFH99N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IQFH99N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V	Hoja de datos	300En existencias	Cinta cortada $5.127 $2.635 $2.394 $2.053 Envase tipo carrete $1.932	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	TSON-12	N-Channel	1 Channel	60 V	339 A	1.72 mOhms	20 V	2.8 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.647 7.433En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC41N06S5N102ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5N102A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauz4xn06s5 60v optimos5 mosfets	Hoja de datos	7.433En existencias	Cinta cortada $1.647 $772 $686 $537 Ver Envase tipo carrete $406 $534 $507 $406 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	60 V	41 A	10.2 mOhms	20 V	3.4 V	12.5 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.075 13.723En existencias 35.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUZ40N06S5L050ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ40N06S5L050A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon iauz4xn06s5 60v optimos5 mosfets	Hoja de datos	13.723En existencias 35.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUZ40N06S5L050ATMA1 Existencias: 13.723 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 15.000 Se espera el 29-10-2026 20.000 Se espera el 02-11-2026 Plazo de entrega de fábrica: 32 Semanas	Cinta cortada $2.075 $994 $887 $700 Ver Envase tipo carrete $564 $677 $646 $564 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8-33	N-Channel	1 Channel	60 V	40 A	5 mOhms	16 V	2.2 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	71 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V IPTC012N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.941 2.474En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPTC012N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPTC012N06NM5ATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.474En existencias	Cinta cortada $4.941 $3.261 $2.800 Envase tipo carrete $2.800 $1.823	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.800	Si	SMD/SMT	HDSOP-16	N-Channel	1 Channel	60 V	311 A	1.2 mOhms	20 V	2.1 V	106 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V ISC010N06NM5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.765 2.425En existencias	N.º de artículo del Fabricante ISC010N06NM5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISC010N06NM5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	2.425En existencias	Cinta cortada $4.765 $2.855 $2.328 $1.954 Ver Envase tipo carrete $1.471 $1.845 $1.691 $1.471	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	60 V	330 A	1.05 mOhms	20 V	3.3 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	214 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Infineon Technologies IPP029N06NXKSA1 IPP029N06NXKSA1 Infineon Technologies 1: $2.492 791En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPP029N06NXKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP029N06NXKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Power-Transistor,60V Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	791En existencias	$2.492 $1.208 $1.080 $898 Ver $829 $775 $736 $725	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	60 V	84 A	2.9 mOhms	20 V	3.3 V	56 nC	- 55 C	+ 175 C	38 W	Enhancement		OptiMOS	Tube