Resultados: 35
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
803En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
714En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
3.841En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22.4 A 162 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 40 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
Hoja de datos
7.256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10.6 A 380 mOhms 20 V 3.5 V 19 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
469En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 171 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
421En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 540 mOhms 20 V 3.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
649En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 mOhms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 151 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
Hoja de datos
1.971En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7.3 A 600 mOhms 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
Hoja de datos
718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20.2 A 190 Ohms 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
792En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Hoja de datos
5.007En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 160 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
450En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
753En existencias
1.200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77.5 A 37 mOhms 20 V 3.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
1.073En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3
Hoja de datos
30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23.8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 44 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3
Hoja de datos
447En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16.8 A 538 mOhms 20 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3
Hoja de datos
419En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 252 mOhms 20 V 3.5 V 25.5 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37.9 A 89 mOhms 20 V 3.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
276En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 113 mOhms 20 V 3.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
181En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
Hoja de datos
330En existencias
720Se espera el 28-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53.5 A 63 mOhms 20 V 3.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement CoolMOS Tube